Osram Components IR emitter 880 nm 65 ° 3 mm radial lead SFH 487 P SFH 487 P Data Sheet
Product codes
SFH 487 P
Semiconductor Group
1
1999-02-04
Wesentliche Merkmale
●
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
im Schmelzepitaxieverfahren
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Hohe Zuverlässigkeit
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Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
Bauteiloberkante
●
Hohe Impulsbelastbarkeit
●
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Si-Fotoempfänger
●
Sehr plane Oberfläche
●
Gehäusegleich mit SFH 309
Anwendungen
●
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
●
LWL
Features
●
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
a liquid phase epitaxy process
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High reliability
●
Small tolerance: Chip surface to case
surface
surface
●
High pulse handling capability
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Good spectral match to silicon
photodetectors
photodetectors
●
Plane surface
●
Same package as SFH 309
Applications
●
Photointerrupters
●
Fibre optic transmission
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Typ
Type
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Ordering Code
Gehäuse
Package
Package
SFH 487 P
Q62703-Q517
3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gie
Gie
β
harz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschlu
β
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored trans-
parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’), anode marking: short lead
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
1.2
29
27
27
4.5
4.0
4.0
3.5
2.0
1.7
1.7
3.1
2.5
2.54 mm
spacing
ø3.1
ø2.9
0.8
0.4
0.6
0.4
0.4
4.0
3.6
3.6
0.6
0.4
0.4
Chip position
Area not flat
GEX06308
0.7
0.4
Cathode
fex06308