Diotec N/A BC 547 A NPN Case type TO 92 I(C) 0.2 A BC547A Data Sheet

1

) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

6

01.11.2003

 BC 546 ... BC 549

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard Pinning

1 = C  2 = B  3 = E

Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

/

Grenzwerte (T

/

Collector-Emitter-voltage

B open

V

CE0

65 V

45 V

30 V

Collector-Emitter-voltage

B shorted

V

CES

85 V

50 V

30 V

Collector-Base-voltage

E open

V

CB0

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

C open

V

EB0

6 V

6 V

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

500 mW 

1

)

Collector current – Kollektorstrom (DC)

I

C

100 mA

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

I

CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

I

BM

200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

- I

EM

200 mA

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

T

j

150

/

C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 65…+ 150

/

C

/

/

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 10 

:

A

h

FE

typ. 90

typ. 150

typ. 270

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 2 mA

h

FE

110...220

200...450

420...800

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 100 mA

h

FE

typ. 120

typ. 200

typ.400

h-Parameters at V

CE

 = 5V, I

C

 = 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverst.

h

fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangsimpedanz

h

ie

1.6...4.5 k

S

3.2...8.5 k

S

6...15 k

S

Output admittance – Ausgangsleitwert

h

oe

18 < 30 

:

S

30 < 60 

:

S

60 < 110 

:

S

Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung

h

re

typ.1.5 *10

-4

typ. 2 *10

-4

typ. 3 *10

-4