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  4. N/A BC 548 C NPN Case type TO 92 I(C) 0.2 A
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Diotec N/A BC 548 C NPN Case type TO 92 I(C) 0.2 A BC548C Data Sheet

Product codes
BC548C
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BC546 ... BC549
BC546 ... BC549
NPN
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
NPN
Version 2006-05-31
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung
500 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
 = 25°C)
Grenzwerte (T
A
 = 25°C)
BC546
BC547
BC548/549
Collector-Emitter-voltage
E-B short
V
CES
85 V
50 V
30 V
Collector-Emitter-voltage
B open
V
CEO
65 V
45 V
30 V
Collector-Base-voltage
E open
V
CBO
80 V
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage
C open
V
EB0
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
P
tot
500 mW 
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
I
C
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
I
CM
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
I
BM
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
- I
EM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
 = 25°C)
Kennwerte (T
j
 = 25°C)
Group A
Group B
Group C
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 
2
)
V
CE
 = 5 V, I
C
 = 10 µA
h
FE
typ. 90
typ. 150
typ. 270
V
CE
 = 5 V, I
C
 = 2 mA
h
FE
110 ... 220
200 ... 450
420 ... 800
V
CE
 = 5 V, I
C
 = 100 mA
h
FE
typ. 120
typ. 200
typ. 400
h-Parameters at/bei V
CE
 = 5 V, I
C
 = 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
h
fe
typ. 220
typ. 330
typ. 600
Input impedance – Eingangs-Impedanz
h
ie
1.6 ... 4.5 kΩ
3.2 ...8.5 kΩ
6 ... 15 kΩ
Output admittance  – Ausgangs-Leitwert
h
oe
18 < 30 µS
30 < 60 µS
60 < 110 µS
Reverser voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
h
re
typ. 1.5*10
-4
typ. 2*10
-4
typ. 3*10
-4
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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C B E