On Semiconductor N/A MJ 11016 NPN Case type TO 3 I(C) 30 A MJ11016G Data Sheet

Product codes
MJ11016G
Page of 4
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN)
http://onsemi.com
2
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8.0 k
≈ 40
PNP
MJ11015
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8.0 k
≈ 40
NPN
MJ11012
MJ11016
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 
(T
= 25_C unless otherwise noted.)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristics
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Breakdown Voltage(1)
(I
C
 = 100 mAdc, I
B
 = 0)
MJ11012
MJ11015, MJ11016
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
(BR)CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Leakage Current
(V
CE
 = 60 Vdc, R
BE
 = 1k ohm)
MJ11012
(V
CE
 = 120 Vdc, R
BE
 = 1k ohm)
MJ11015, MJ11016
(V
CE
 = 60 Vdc, R
BE
 = 1k ohm, T
C
 = 150_C)
MJ11012
(V
CE
 = 120 Vdc, R
BE
 = 1k ohm, T
C
 = 150_C)
MJ11015, MJ11016
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
CER
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ



ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1
1
5
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
 = 5 Vdc, I
C
 = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Leakage Current
(V
CE
 = 50 Vdc, I
B
 = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS(1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
 = 20 Adc,V
CE
 = 5 Vdc)
(I
C
 = 30 Adc, V
CE
 = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1000
200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
 = 20 Adc, I
B
 = 200 mAdc)
(I
C
 = 30 Adc, I
B
 = 300 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3
4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
 = 20 A, I
B
 = 200 mAdc)
(I
C
 = 30 A, I
B
 = 300 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
BE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.5
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current−Gain Bandwidth Product
(I
C
 = 10 A, V
CE
 = 3 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
fe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle v 2.0%.