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Infineon Technologies N/A BCW 67 C PNP Case type SOT 23 I(C) BCW67C Data Sheet

Product codes
BCW67C
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2011-09-15
3
BCW67, BCW68
Electrical Characteristics
 at T
A
 = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage 
I
C
 = 10 mA, I
B
 = 0 , BCW67 
I
C
 = 10 mA, I
B
 = 0 , BCW68
V
(BR)CEO
 
32
45
 
-
-
 
-
-
V
Collector-base breakdown voltage 
I
C
 = 10 µA, I
E
 = 0 , BCW67 
I
C
 = 10 µA, I
E
 = 0 , BCW68
V
(BR)CBO
 
45
60
 
-
-
 
-
-
Emitter-base breakdown voltage 
I
E
 = 10 µA, I
C
 = 0 
V
(BR)EBO
5
-
-
Collector-base cutoff current 
V
CB
 = 32 V, I
E
 = 0  
V
CB
 = 45 V, I
E
 = 0  
V
CB
 = 32 V, I
E
 = 0 , T
A
 = 150 °C; BCW67 
V
CB
 = 45 V, I
E
 = 0 , T
A
 = 150 °C; BCW68
I
CBO
 
-
-
-
-
 
-
-
-
-
 
0.02
0.02
20
20
µA
Emitter-base cutoff current 
V
EB
 = 4 V, I
C
 = 0 
I
EBO
-
-
20
nA
DC current gain
1)
 
I
C
 = 100 µA, V
CE
 = 10 V, h
FE
-grp.A/F 
I
C
 = 100 µA, V
CE
 = 10 V, h
FE
-grp.B/G 
I
C
 = 100 µA, V
CE
 = 10 V, h
FE
-grp.C/H 
I
C
 = 10 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp.A/F 
I
C
 = 10 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp.B/G 
I
C
 = 10 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp.C/H 
I
C
 = 100 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp.A/F 
I
C
 = 100 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp.B/G 
I
C
 = 100 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp.C/H 
I
C
 = 500 mA, V
CE
 = 2 V, h
FE
-grp.A/F 
I
C
 = 500 mA, V
CE
 = 2 V, h
FE
-grp.B/G 
I
C
 = 500 mA, V
CE
 = 2 V, h
FE
-grp.C/H
h
FE
 
35
50
80
75
120
180
100
160
250
35
60
100
 
-
-
-
-
-
-
160
250
350
-
-
-
 
-
-
-
-
-
-
250
400
630
-
-
-
-