Infineon Technologies N/A BCW 60 D NPN Case type SOT 23 I(C) BCW60D Data Sheet

Product codes
BCW60D
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2011-08-16
3
BCW60, BCX70
Electrical Characteristics
 at T
A
 = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage 
I
C
 = 10 mA, I
B
 = 0 , BCW60, ...60FF 
I
C
 = 10 mA, I
B
 = 0 , BCX70
V
(BR)CEO
 
32
45
 
-
-
 
-
-
V
Collector-base breakdown voltage 
I
C
 = 10 µA, I
E
 = 0 , BCW60, ...60FF 
I
C
 = 10 µA, I
E
 = 0 , BCX70
V
(BR)CBO
 
32
45
 
-
-
 
-
-
Emitter-base breakdown voltage 
I
E
 = 1 µA, I
C
 = 0 
V
(BR)EBO
6
-
-
Collector-base cutoff current 
V
CB
 = 32 V, I
E
 = 0 , BCW60, ...60FF 
V
CB
 = 45 V, I
E
 = 0 , BCX70 
V
CB
 = 32 V, I
E
 = 0 , T
A
= 150 °C, BCW60, ...60FF 
V
CB
 = 45 V, I
E
 = 0 , T
A
 = 150 °C, BCX70
I
CBO
 
-
-
-
-
 
-
-
-
-
 
0.02
0.02
20
20
µA
Emitter-base cutoff current 
V
EB
 = 4 V, I
C
 = 0 
I
EBO
-
-
20
nA
DC current gain- 
I
C
 = 10 µA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. G 
I
C
 = 10 µA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. B/ H 
I
C
 = 10 µA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. C/ J/ FF 
I
C
 = 10 µA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. D/ K 
I
C
 = 2 mA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. G 
I
C
 = 2 mA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. B/ H 
I
C
 = 2 mA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. C/ J/ FF 
I
C
 = 2 mA, V
CE
 = 5 V, h
FE
-grp. D/ K 
I
C
 = 50 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp. G  
I
C
 = 50 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp. B/ H  
I
C
 = 50 mA, V
CE
 = 1 V,  h
FE
-grp. C/ J/ FF 
I
C
 = 50 mA, V
CE
 = 1 V, h
FE
-grp. D/ K 
h
FE
 
20
20
40
100
120
180
250
380
50
70
90
100
 
140
200
300
460
170
250
350
500
-
-
-
-
 
-
-
-
-
220
310
460
630
-
-
-
-
-