On Semiconductor N/A 2 N 5885 NPN Case type TO 3 I(C) 25 A 2N5885 Data Sheet
Product codes
2N5885
Complementary Silicon
High-Power Transistors
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching
applications.
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc, (max) at I
C
= 15 Adc
•
Low Leakage Current
I
CEX
= 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
•
Excellent DC Current Gain —
h
FE
= 20 (min) at I
C
= 10 Adc
•
High Current Gain Bandwidth Product —
f
τ
= 4.0 MHz (min) at I
C
= 1.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5883
2N5885
2N5885
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5884
2N5886
2N5886
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
25
50
50
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
7.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
C
Derate above 25
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/
W/
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
0.875
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
(1) Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some parameters and
re–registration reflecting these changes has been requested. All above values most or
exceed present JEDEC registered data.
exceed present JEDEC registered data.
200
0
0
25
50
75
100
125
150
200
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
P D
, POWER DISSIP
ATION (W
ATTS)
175
100
75
50
125
150
25
175
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 9
1
Publication Order Number:
2N5883/D
2N5883
2N5884
2N5885
2N5886
2N5884
2N5885
2N5886
*ON Semiconductor Preferred Device
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–80 VOLTS
200 WATTS
*
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
NPN