On Semiconductor N/A BD 679 NPN Case type TO 126 I(C) 4 A BD679 Data Sheet
Product codes
BD679
Plastic Medium-Power
Silicon NPN Darlingtons
. . . for use as output devices in complementary general–purpose
amplifier applications.
•
High DC Current Gain —
hFE = 750 (Min) @ IC
= 1.5 and 2.0 Adc
•
Monolithic Construction
•
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with
BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
•
BD 677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbo
l
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
BD675
BD675
BD675
A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
BD677
BD677
BD677
A
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
BD679
BD679
BD679
A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
BD68
1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
45
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
45
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@TC = 25
C
Derate above 25
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/
W/
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage
Junction
Junction
Temperating Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
3.13
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
50
40
10
5.0
0
15
30
45
60
75
105
135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
P D
, POWER DISSIP
ATION (W
ATTS)
120
90
45
20
15
15
30
25
25
35
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev.10
1
Publication Order Number:
BD675/D
BD675
BD675A
BD677
BD677A
BD679
BD679A
BD681
4.0 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
60, 80, 100 VOLTS
40 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
*
3
2 1
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE