Manualsbrain.com
  1. Manuals
  2. Brands
  3. On Semiconductor
  4. N/A BDX 34 C PNP Case type TO 220 AB I(C) 1
  5. Data Sheet

On Semiconductor N/A BDX 34 C PNP Case type TO 220 AB I(C) 1 BDX34C Data Sheet

Product codes
BDX34C
Download
Page of 8
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general purpose and low speed switching
applications.
•
High DC Current Gain — 
h
FE
 = 2500 (typ.) at I
C
 = 4.0
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc
V
CEO(sus)
 = 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B
V
CEO(sus)
 =
100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
 = 2.5 Vdc (max.) at I
C
 = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B,
34C
•
Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors
•
TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BDX33B
BDX34B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BDX33C
BDX34C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
10
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
0.25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ T
C
 = 25

C
Derate above 25

C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
70
0.56
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/

C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ

C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
R
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
1.78
ÎÎÎ
ÎÎÎ

C/W
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
January, 2001 – Rev. 8
1
Publication Order Number:
BDX33B/D
BDX33B
BDX33C
BDX34B
BDX34C
DARLINGTON
10 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
80–100 VOLTS
70 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
CASE 221A–06
TO–220AB
*
*
NPN
PNP