Fairchild Semiconductor N/A BDX54CTU Data Sheet

©2000 Fairchild Semiconductor International

Rev. A, February 2000

T

C

=25

°

C unless otherwise noted 

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

* Pulse Test: PW=300

µ

s, duty Cycle =1.5% Pulsed

 V

CBO

 Collector-Base Voltage      : BDX54

   : BDX54A
   : BDX54B
   : BDX54C

 - 45
 - 60
 - 80

- 100

V
V
V
V

 V

CEO

 Collector-Emitter Voltage   : BDX54

   : BDX54A
   : BDX54B
   : BDX54C

 - 45
 - 60
 - 80

- 100

V
V
V
V

 

V

EBO

 Emitter-Base Voltage

  - 5

V

 I

C

 Collector Current (DC)

  - 8

A

 I

CP

 *Collector Current (Pulse)

 - 12

A

 I

B

 Base Current

- 0.2

A

 P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°

C)

  60

W

 T

J

 Junction Temperature

 150

°

C

 T

STG

 Storage Temperature

- 65 ~ 150

°

C

 V

CEO

(sus)

* Collector-Emitter Sustaining Voltage 

: BDX54
: BDX54A
: BDX54B
: BDX54C

 
I

C 

= - 100mA, I

B 

= 0

 - 45
 - 60
 - 80

- 100

V
V
V
V

 I

CBO

 Collector Cut-off Current   : BDX54

: BDX54A
: BDX54B
: BDX54C

 V

CB 

= - 45V, I

E 

= 0

 V

CB 

= - 60V, I

E 

= 0

 V

CB 

= - 80V, I

E 

= 0

 V

CB 

= - 100V, I

E 

= 0

- 200
- 200
- 200
- 200

µ

A

µ

A

µ

A

µ

A

 I

CEO

 Collector Cut-off Current   : BDX54

: BDX54A
: BDX54B
: BDX54C

 V

CE 

= - 22V, I

B 

= 0

 V

CE 

= - 30V, I

B 

= 0

 V

CE 

= - 40V, I

B 

= 0

 V

CE 

= - 50V, I

B 

= 0

- 500
- 500
- 500
- 500

µ

A

µ

A

µ

A

µ

A

 

I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

EB 

= - 5V, I

C 

= 0

  - 2

mA

 

h

FE

* DC Current Gain

 V

CE 

= - 3V, I

C 

= - 3A

750

 V

CE

(sat)

* Collector-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= - 3A, I

B 

= - 12mA

  - 2

V

 V

BE

(sat)

* Base-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= - 3A, I

B 

= - 12mA

- 2.5

V

 V

F

* Parallel Diode Forward Voltage

 I

F 

= - 3A

 I

F 

= - 8A

- 1.8
- 2.5

- 2.5

V
V

• Power Darlington TR
• Complement to BDX53, BDX53A, BDX53B and BDX53C respectively

1.Base    2.Collector    3.Emitter

1

TO-220