Fairchild Semiconductor N/A MMBT3646 Data Sheet

© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation

  www.fairchildsemi.com

MMBT3646 Rev. 1.1.0

1 

December 2013

• NPN High Speed Switching Transistor
• Process 22

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T

C

 = 25°C unless otherwise noted.

(1)

Values are at T

C 

= 25°C unless otherwise noted.

Note:
1. PCB size: FR-4 trace width is 50 mil / 25 mil /15 mil, thickness: 2 OZ, minimum land pattern size.

MMBT3646

23

SOT-23 3L

Tape and Reel

V

CEO

Collector-Emitter Voltage

15

V

V

CES

Collector-Emitter Voltage

40

V

V

CBO

Collector-Base Voltage

40

V

V

EBO

Emitter-Base Voltage

5

V

I

C

Collector Current (DC) - Continuous

300

mA

T

J

, T

STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

°C

P

D

Total Device Dissipation at T

A 

= 25°C 

625

mW

Derate Above 25°C

5

mW/°C

R

θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

°C/W

1. Base   2. Emitter   3. Collector

SOT-23

1

2

3