Fairchild Semiconductor N/A BD159STU Data Sheet

©2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A1, June 2001

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

* Pulse Test: PW=300

µ

s, duty Cycle=1.5% Pulsed

 V

CBO

 Collector-Base Voltage                                : BD157 

                             : BD158
                             : BD159

 275
 325
 375

V
V
V

 V

CEO

 Collector-Emitter Voltage                             : BD157

                             : BD158
                             : BD159

 250
 300
 350

V
V
V

 

V

EBO

 Emitter-Base Voltage

   5

V

 

I

C

 Collector Current (DC)

 0.5

A

 

I

CP

 *Collector Current (Pulse)

 1.0

A

 

I

B

 Base Current

0.25

A

 

P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°

C)

  20

W

 T

J

 Junction Temperature

  50

°

C

 T

STG

 Storage Temperature

- 65 ~ 150

°

C

 BV

CEO

*Collector-Emitter Breakdown Voltage

: BD157
: BD158
: BD159

  
 I

C 

= 1mA, I

B 

= 0

250
300
350

V
V
V

 I

CBO

 Collector Cut-off Current 

: BD157
: BD158
: BD159

 V

CB 

= 275V, I

E 

= 0

 V

CB 

= 325V, I

E 

= 0

 V

CB 

= 375V, I

E 

= 0

100
100
100

µ

A

µ

A

µ

A

 

I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

EB 

= 5V, I

C 

= 0

100

µ

A

 

h

FE

* DC Current Gain

 V

CE 

= 10V, I

C 

= 50mA

 30

240

• For T.V Radio Audio Output Amplifiers

1

TO-126

1. Emitter    2.Collector    3.Base