Fairchild Semiconductor N/A KSP44TF Data Sheet

© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation

  www.fairchildsemi.com

KSP44/45 Rev. A3

1 

October 2012

• High-Voltage Transistor
• Collector-Emitter Voltage: V

CEO 

= KSP44: 400V

                                                          KSP45: 350V

•

Collector Power Dissipation: P

C

(max) = 625mW

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only.
Values are at T

A

 = 25°C unless otherwise noted.

KSP44BU

KSP44

TO-92 3L

Bulk

KSP44TA

KSP44

TO-92 3L

Ammo

KSP44TF

KSP44

TO-92 3L

Tape and Reel

KSP45TA

KSP45

TO-92 3L

Ammo

V

CBO

 

Collector-Base Voltage                                                      : KSP44

                                                      : KSP45

500
400

V
V

V

CEO

Collector-Emitter Voltage                                                   : KSP44

                                                      : KSP45

400
350

V
V

V

EBO

Emitter-Base Voltage

6

V

I

C

Collector Current

300

mA

T

J

Junction Temperature

150

C

T

STG

Storage Temperature

-55 to 150

C

P

C

Collector Power Dissipation (T

A 

= 25

C)

625

mW

P

C

Collector Power Dissipation (T

C 

= 25

C)

1.5

W

R

JC

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

C/W

R

JA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

C/W

1. Emitter   2. Base   3. Collector

TO-92

1