LSI 53C875A User Manual

1. Stresses beyond those listed above may cause permanent damage to the device. These are stress

ratings only; functional operation of the device at these or any other conditions beyond those
indicated in the

section of the manual is not implied.

T

STG

Storage temperature

−

55

150

°

C

–

V

DD

Supply voltage

−

0.5

4.5

V

–

V

IN

Input voltage

V

SS

−

0.3

5.55

V

SCSI 5 V TolerANT pads

I

LP

2

2.

−

2 V < V

PIN

< 8 V.

Latch-up current

±

=

150

–

mA

–

ESD

Electrostatic discharge

–

2 K

V

MIL-STD 883C,

Method 3015.7

1. Conditions that exceed the operating limits may cause the device to function incorrectly.

V

DD

Supply voltage

2.97

3.63

V

±

10%

I

DD

Supply current (dynamic)
Supply current (static)

–
–

200 mA

1 mA

mA
mA

–
–

T

A

Operating free air

0

70

°

C

–

θ

JA

Thermal resistance
(junction to ambient air)

–

25.1
34.7

°

C/W

160 PQFP
169 PBGA

C

I

Input capacitance of input pads

–

7

pF

–

C

IO

Input capacitance of I/O pads

–

15

pF

–