Elixir 2GB DDR3-1066MHz SO-DIMM M2N2G64CB8HA5N-BE User Manual

Product codes
M2N2G64CB8HA5N-BE
Page of 19
M2N1G64CBH8A5P / M2N2G64CB8HA5N 
1GB: 128M x 64 / 2GB: 256M x 64  
Unbuffered DDR3 SO-DIMM
                                              
 
REV1.1
 
04/2009 
©  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
 
 
Based on 64Mx16 (1GB) / 128Mx8 (2GB) DDR3 SDRAM A-Die
 
 
Features
 
•Performance: 
Speed Sort 
PC3-8500 
PC3-10660 
Unit 
-BE 
-CG 
DIMM CAS Latency 
fck 
– Clock Freqency 
533 
667 
MHz 
tck 
– Clock Cycle 
1.875 
1.5 
ns 
fDQ 
– DQ Burst Freqency 
1066 
1333 
Mbps 
• 204-Pin Small Outline Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM) 
• 1GB: 128Mx64 Unbuffered DDR3 SO-DIMM based on 64Mx16 
DDR3 SDRAM A-Die devices.  
• 2GB: 256Mx64 Unbuffered DDR3 SO-DIMM based on 128Mx8 
DDR3 SDRAM A-Die devices.  
• Intended for 533MHz/667MHz/800MHz applications
 
• Inputs and outputs are SSTL-15 compatible 
• V
DD
 = V
DDQ
 = 1.5V ±
0.075V 
• SDRAMs have 8 internal banks for concurrent operation 
• Differential clock inputs 
• Data is read or written on both clock edges 
• DRAM DLL aligns DQ and DQS transitions with clock transitions. 
• Address and control signals are fully synchronous to positive 
clock edge 
 
 
• Programmable Operation: 
- DIMM 
 Latency: 5,6,7,8,9,10 
- Burst Type: Sequential or Interleave 
- Burst Length: BC4, BL8 
- Operation: Burst Read and Write  
• Two different termination values (Rtt_Nom & Rtt_WR) 
• 13/10/2 (row/column/rank) Addressing for 1GB 
• 14/10/2 (row/column/rank) Addressing for 2GB 
• Extended operating temperature rage 
• Auto Self-Refresh option 
• Serial Presence Detect 
• Gold contacts 
• 1GB: SDRAMs are in 96-ball BGA Package 
• 2GB: SDRAMs are in 78-ball BGA Package 
• RoHS compliance 
 
 
Description    
 
M2N1G64CBH8A5P and M2N2G64CB8HA5N are unbuffered 204-Pin Double Data Rate 3 (DDR3) Synchronous DRAM Small Outline 
Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM), organized as two ranks of 128Mx64 (1GB) and 256Mx64 (2GB) high-speed memory array. 
Modules use eight 64Mx16 (1GB) 96-ball BGA packaged devices and sixteen 128Mx8 (2GB) 78-ball BGA packaged devices. These DIMMs 
are manufactured using raw cards developed for broad industry use as reference designs. The use of these common design files minimizes 
electrical variation between suppliers. All Elixir DDR3 SODIMMs provide a high-performance, flexible 8-byte interface in a space-saving 
footprint. 
The DIMM is intended for use in applications operating of 533MHz/667MHz/800MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer 
rates of 1066Mbps/1333Mbps/1600Mbps. Prior to any access operation, the device 
 latency and burst/length/operation type must be 
programmed into the DIMM by address inputs A0-A12 (1GB)/A0-A13 (2GB) and I/O inputs BA0~BA2 using the mode register set cycle. 
The DIMM uses serial presence-detect implemented via a serial EEPROM using a standard IIC protocol. The first 128 bytes of SPD data 
are programmed and locked during module assembly. The remaining 128 bytes are available for use by the customer.