Renesas HA17458 Series Manual De Usuario

Descargar
Página de 9
HA17458 Series 
Rev.1.00  Jun 15, 2005  page 3 of 8 
 
Absolute Maximum Ratings 
(Ta = 25°C) 
  
Ratings 
 
 
 
 
Item Symbol 
HA17458 HA17458PS HA17458F HA17458FP 
Unit 
Supply voltage 
V
CC
 +18 +18 +18 +18  V 
 
V
EE
 –18 
–18 
–18 
–18  V 
Intput voltage 
V
IN
*
3
 ±15  ±15  ±15  ±15 
Differential input voltage 
V
IN(diff)
 ±30  ±30  ±30  ±30 
Power dissipation 
P
T
 670*
1
 670*
1
 385*
2
 385*
2
 mW 
Operating temperature 
Topr 
–20 to +75 
–20 to +75 
–20 to +75 
–20 to +75 
°C 
Storage temperature 
Tstg 
–55 to +125 
–55 to +125 
–55 to +125 
–55 to +125 
°C 
Notes:  1.  These are the allowable values up to Ta = 45 °C. Derate by 8.3mW/°C above that temperature. 
 
2.  These are the allowable values up to Ta = 31 °C mounting on 30% wiring density glass epoxy board. Derate 
by 7.14mW/°C above that temperature. 
 
3.  If the supply voltage is less than ±15V, input voltage should be less than supply voltage. 
 
Electrical Characteristics 1 
(V
CC
 = –V
EE
 = 15V, Ta = 25°C) 
Item Symbol 
Min 
Typ 
Max 
Unit 
Test 
conditions 
Input offset voltage 
V
IO
 — 
2.0 
6.0 
mV 
R
S
 
 10k
Ω
 
Input offset current 
I
IO
 — 
200 
nA 
 
Input bias current 
I
IB
 — 
30 
500 
nA 
 
Line regulation 
V
IO
/
V
CC
 —  30 150 
µ
V/V R
S
 
 10k
Ω
 
 
V
IO
/
V
EE
 —  30 150 
µ
V/V R
S
 
 10k
Ω
 
Voltage gain 
A
VD
 86 
100 
— 
dB 
R
L
 
 2k
Ω
, Vout = ±10V 
Common mode rejection ratio 
CMR 
70 
90 
— 
dB 
R
S
 
 10k
Ω
 
Common mode input voltage range 
V
CM
 ±12 
±13 
— 
 
Peak-to-peak output voltage 
Vop-p 
±12 
±14 
— 
R
L
 = 10k
Ω
 
Power dissipation 
P
d
 
— 
90 
200 
mW 
No load, 2 channel 
Slew rate 
SR 
— 
0.6 
— 
V/
µ
s A
VD
 = 1 
Input resistance 
Rin 
0.3 
1.0 
— 
M
Ω
 
 
Input capacitance 
Cin 
— 
6.0 
— 
pF 
 
Output resistance 
Rout 
— 
75 
— 
Ω
 
 
 
Electrical Characteristics 2 
(V
CC
 = –V
EE
 = 15V, Ta = –20 to +75°C) 
Item Symbol 
Min 
Typ 
Max 
Unit 
Test 
conditions 
Input offset voltage 
V
IO
 — 
— 
9.0 
mV 
R
S
 
 10k
Ω
 
Input offset current 
I
IO
 — 
— 
400 
nA 
 
Input bias current 
I
IB
 — 
— 
1100 
nA 
 
Voltage gain 
A
VD
 80 
— 
— 
dB 
R
L
 
 2k
Ω
, Vout = ±10V 
Peak-to-peak output voltage 
Vop-p 
±10 
±13 
— 
R
L
 = 2k
Ω