Cypress CY8C22113 Manual De Usuario

3.3.1

DC Chip-Level Specifications

The following table lists guaranteed maximum and minimum specifications for the voltage and temperature ranges: 4.75V to 5.25V
and -40

°

C 

≤

 T

A

 

≤

 85

°

C, or 3.0V to 3.6V and -40

°

C 

≤

 T

A

 

≤

 85

°

C, respectively. Typical parameters apply to 5V and 3.3V at 25

°

C and

are for design guidance only or unless otherwise specified.  

3.3.2

DC General Purpose IO Specifications

The following table lists guaranteed maximum and minimum specifications for the voltage and temperature ranges: 4.75V to 5.25V
and -40

°

C 

≤

 T

A

 

≤

 85

°

C, or 3.0V to 3.6V and -40

°

C 

≤

 T

A

 

≤

 85

°

C, respectively. Typical parameters apply to 5V and 3.3V at 25

°

C and

are for design guidance only or unless otherwise specified. 

Vdd

Supply Voltage

3.00

–

5.25

V

I

DD

Supply Current

–

5

8

mA

Conditions are Vdd = 5.0V, 25 

o

C, CPU = 3 

MHz, 48 MHz disabled. VC1 = 1.5 MHz, VC2 = 
93.75 kHz, VC3 = 93.75 kHz.

I

DD3

Supply Current

–

3.3

6.0

mA

Conditions are Vdd = 3.3V, T

A

 = 25

 o

C, CPU = 3 

MHz, 48 MHz = Disabled, VC1 = 1.5 MHz, VC2 
= 93.75 kHz, VC3 = 93.75 kHz. 

I

SB

Sleep (Mode) Current with POR, LVD, Sleep Timer, and 

WDT.

a

a. Standby current includes all functions (POR, LVD, WDT, Sleep Time) needed for reliable system operation. This should be compared with devices that have similar functions 

enabled.

–

3

6.5

µ

A

Conditions are with internal slow speed oscilla-

tor, Vdd = 3.3V, -40

 o

C <= T

A

 <= 55 

o

C.

I

SBH

Sleep (Mode) Current with POR, LVD, Sleep Timer, and 

WDT at high temperature.

a

–

4

25

µ

A

Conditions are with internal slow speed oscilla-

tor, Vdd = 3.3V, 55

 o

C < T

A

 <= 85 

o

C.

I

SBXTL

Sleep (Mode) Current with POR, LVD, Sleep Timer, WDT, 

and external crystal.

a

–

4

7.5

µ

A

Conditions are with properly loaded, 1 

µ

W max, 

32.768 kHz crystal. Vdd = 3.3V, -40

 o

C <= T

A

 <= 

55 

o

C.

I

SBXTLH

Sleep (Mode) Current with POR, LVD, Sleep Timer, WDT, 

and external crystal at high temperature.

a

–

5

26

µ

A

Conditions are with properly loaded, 1 

µ

W max, 

32.768 kHz crystal. Vdd = 3.3V, 55

 o

C < T

A

 <= 

85 

o

C.

V

REF

Reference Voltage (Bandgap)

1.275

1.3

1.325

V

Trimmed for appropriate Vdd.

R

PU

Pull up Resistor

4

5.6

8

k

Ω

R

PD

Pull down Resistor

4

5.6

8

k

Ω

V

OH

High Output Level

Vdd - 1.0

–

–

V

IOH = 10 mA, Vdd = 4.75 to 5.25V (80 mA max-
imum combined IOH budget)

V

OL

Low Output Level

–

–

0.75

V

IOL = 25 mA, Vdd = 4.75 to 5.25V (150 mA 
maximum combined IOL budget)

V

IL

Input Low Level

–

–

0.8

V

Vdd = 3.0 to 5.25

V

IH

Input High Level

2.1

–

V

Vdd = 3.0 to 5.25

V

H

Input Hysterisis

–

60

–

mV

I

IL

Input Leakage (Absolute Value)

–

1

–

nA

Gross tested to 1 

µ

A.

C

IN

Capacitive Load on Pins as Input

–

3.5

10

pF

Package and pin dependent. Temp = 25

o

C.

C

OUT

Capacitive Load on Pins as Output

–

3.5

10

pF

Package and pin dependent. Temp = 25

o

C.