Fujifilm Xeon S26361-F3099-L828 Hoja De Datos

31

Overshoot events from application testing on processor must meet the specifications in 

 

when measured across the VCCSENSE and VSSSENSE pins. Overshoot events that are < 10 ns in 
duration may be ignored. These measurement of processor die level overshoot should be taken with 
a 100 MHz bandwidth limited oscilloscope.

1. Unless otherwise noted, all specifications in this table apply to all processor frequencies.
2. These parameters are based on design characterization and are not tested.
3. Leakage to V

SS

 with pin held at V

TT

1. Unless otherwise noted, all specifications in this table apply to all processor frequencies.
2. The V

TT

 represented in these specifications refers to instantaneous V

TT

.

3. V

IL

 is defined as the voltage range at a receiving agent that will be interpreted as a logical low value.

4. V

IH

 is defined as the voltage range at a receiving agent that will be interpreted as a logical high value.

5. V

IH

 and V

OH

 may experience excursions above V

TT

. 

6. Refer to 

 to determine which signals include additional on-die termination resistance (R

L

).

7. Leakage to V

SS

 with pin held at V

TT

.

8. Leakage to V

TT

 with pin held at 300 mV.

R

ON

BSEL[1:0] and VID[5:0]
Buffer On Resistance

N/A

60

W

2

I

OL

Maximum Pin Current

N/A

8

mA

2

I

LO

Output Leakage Current

N/A

200

µA

2,3

R

PULL_UP

Pull-Up Resistor

500

W

V

TOL

Voltage Tolerance

0.95 * V

TT

V

TT

1.05 * V

TT

V

V

IL

Input Low Voltage

0.0

GTLREF - (0.10 * V

TT

)

V

2,3

V

IH

Input High Voltage

GTLREF +

(0.10 * V

TT

)

V

TT

V

2,4,5

V

OH

Output High Voltage

0.90 * V

TT

V

TT

V

2,5

I

OL

Output Low Current

N/A

V

TT

 / 

(0.50 * R

TT_MIN

 +

[R

ON_MIN

 || R

L

])

mA

2,6

I

LI

Input Leakage Current

N/A

± 200

µA

7,8

I

LO

Output Leakage Current

N/A

± 200

µA

7,8

R

ON

Buffer On Resistance

7

11

W