STMicroelectronics ST232EBDR Linear IC ST232EBDR Hoja De Datos

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DocID6900 Rev 17
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ST202EB, ST202EC, ST232EB, ST232EC
Electrical characteristics
18
3 Electrical 
characteristics
          
Note:
All tests versus GND.
          
          
          
          
Table 4. ESD performance: transmitter outputs, receiver inputs
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
ESD
ESD protection voltage
Human body model
± 15
-
-
kV
IEC 1000-4-2 (contact discharge)
± 6
IEC 1000-4-2 (air discharge)
± 8
Table 5. Electrical characteristics
(C
1
 - C
4
 = 0.1 µF for ST202E, C
1
 - C
4
 = 0.1 µF for ST232E, V
CC
 = 5 V ± 10 %, 
T
A
 = -40 to 125 °C, unless otherwise specified; typical values are referred to T
A
 = 25 °C)
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SUPPLY
V
CC
 power supply current
No Load, T
A
 = 25°C
5
10
mA
Table 6. Transmitter electrical characteristics
(C
1
 - C4 = 0.1 µF, V
CC
 = 5 V ± 10 %, T
A
 = -40 to 85 °C, unless otherwise specified;
typical values are referred to T
A
 = 25 °C)
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
TOUT
Output voltage swing
All transmitter outputs are loaded 
with 3 k
Ω to GND
± 5
± 9
V
I
TIL
Input leakage current
± 10
µA
V
TIL
Input logic threshold low
0.8
V
V
TIH
Input logic threshold high
2
SR
T
Transition slew rate
T
A
 = 25 °C, V
CC
 = 5 V R
L
 = 3 to 7 
K
Ω, C
L
 = 50 to 1000 pF
(1)
3
6
30
V/µs
D
R
Data rate
R
L
 = 3 to 7 k
Ω, C
L
 = 50 to 1000 pF 
one transmitter switching
230
400
kbits/s
R
TOUT
Transmitter output resistance
V
CC
 = V+ = V- = 0V V
OUT
 = 
± 2 V
300
Ω
I
SC
Transmitter output short circuit 
current
±10
±60
mA
t
DT
Transmitter propagation delay
R
L
 = 3 to 7 k
Ω, C
L
 = 50 to 2500 pF 
All transmitter loaded
2
µA
1. Measured from 3 V to -3 V or from -3 V to 3 V