Texas Instruments DS100BR410 Low Pwr Quad Ch Repeater with 10.3125 Gbps Eq and De-Emphasis Driver EVM DS100BR410EVK-4/NO DS100BR410EVK-4/NOPB Hoja De Datos

SNLS326B – OCTOBER 2010 – REVISED APRIL 2013

Supply Voltage (V

DD

)

-0.5V to +2.75V

2.5 I/O Voltage

-0.5V to +2.75V

(LVCMOS and Analog Input)

3.3 LVCMOS I/O Voltage

-0.5V to +4.0V

(SDA, SDC, CS)

CML Input Voltage (IN_n+/-)

-0.5V to +2.75V

CML Output Voltage (OUT_n+/-)

-0.5V to +2.75V

Junction Temperature

+150°C

Storage Temperature

-65°C to +150°C

ESD Rating

HBM, STD - JESD22-A114F

≥

7 kV

MM, STD - JESD22-A115-A

≥

200 V

CDM, STD - JESD22-C101-D

≥

1250 V

Thermal Resistance

θ

JA

, No Airflow,

4 layer JEDEC, 9 thermal vias

27.6 °C/W

For soldering specifications: see product folder at

(1)

“Absolute Maximum Ratings” indicate limits beyond which damage to the device may occur, including inoperability and degradation of
device reliability and/or performance. Functional operation of the device and/or non-degradation at the Absolute Maximum Ratings or
other conditions beyond those indicated in the Recommended Operating Conditions is not implied.

Supply Voltage

V

DD

to GND

2.375

2.5

2.625

V

Ambient Temperature

-40

25

+85

°C

(1)

The Recommended Operating Conditions indicate conditions at which the device is functional and the device should not be operated
beyond such conditions.

Over recommended operating supply and temperature ranges with default register settings unless other specified.

(1)

PD

Power Supply Consumption

Device Output Enabled
(EN[3:0] = High),

220

275

mW

VOD_SEL = open (1.0 Vp-p)

Device Output Disable

25

40

mW

(EN[3:0] = Low)

PS

NT

Supply Noise Tolerance

(2)

50 Hz to 100 Hz

100

mV

P-P

100 Hz to 10 MHz

40

mV

P-P

10 MHz to 5.0 GHz

10

mV

P-P

V

IH

High Level Input Voltage

1.75

V

DD

V

V

IL

Low Level Input Voltage

-0.3

0.7

V

V

OH

High Level Output Voltage

I

OH

= -3mA

2.0

V

V

OL

Low Level Output Voltage

I

OL

= 3mA

0.4

V

I

IN

Input Leakage Current

V

IN

= V

DD

+10

μ

A

V

IN

= GND

-10

μ

A

(1)

Typical values represent most likely parametric norms at V

DD

= 2.5V, T

A

= 25°C., and at the Recommended Operation Conditions at the

time of product characterization and are not ensured.

(2)

Specification is ensured by characterization at optimal boost setting and is not tested in production.

4

Copyright © 2010–2013, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Links: