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HVLED815PF
Device description
Doc ID 023409 Rev 4
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The triggering block is blanked after MOSFET's turn-off to prevent any negative-going edge 
that follows leakage inductance demagnetization from triggering the DMG circuit 
erroneously. This T
BLANK
 blanking time is dependent on the voltage on COMP pin: it is 
T
BLANK
=30 µs for V
COMP
=0.9 V, and decreases almost linearly down to T
BLANK
=6 µs for 
V
COMP
=1.3 V.
The voltage on the pin is both top and bottom limited by a double clamp, as illustrated in the 
internal diagram of the DMG block of 
. The upper clamp is typically located at 3.3 
V, while the lower clamp is located at -60 mV. The interface between the pin and the 
auxiliary winding will be a resistor divider. Its resistance ratio as well as the individual 
resistance values will be properly chosen (see 
 and 
). 
Please note that the maximum IDMG sunk/sourced current has to not exceed ±2 mA (AMR) 
in all the Vin range conditions. No capacitor is allowed between DMG pin and the auxiliary 
transformer.
The switching frequency is top-limited below 166 kHz, as the converter's operating 
frequency tends to increase excessively at light load and high input voltage.
A Starter block is also used to start-up the system, that is, to turn on the MOSFET during 
converter power-up, when no or a too small signal is available on the DMG pin. The starter 
frequency is 2 kHz if COMP pin is below burst mode threshold, i.e. 1 V, while it becomes 8 
kHz if this voltage exceed this value.
After the first few cycles initiated by the starter, as the voltage developed across the auxiliary 
winding becomes large enough to arm the DMG circuit, MOSFET's turn-on will start to be 
locked to transformer demagnetization, hence setting up QR operation. The starter is 
activated also when the IC is in Constant Current regulation and the output voltage is not 
high enough to allow the DMG triggering.
If the demagnetization completes - hence a negative-going edge appears on the DMG pin - 
after a time exceeding time T
BLANK
 from the previous turn-on, the MOSFET will be turned 
on again, with some delay to ensure minimum voltage at turn-on. If, instead, the negative-
going edge appears before T
BLANK
 has elapsed, it will be ignored and only the first negative-
going edge after T
BLANK
 will turn-on the MOSFET. In this way one or more drain ringing 
cycles will be skipped ("valley-skipping mode", 
) and the switching frequency will 
be prevented from exceeding 1/T
BLANK
.
Figure 15.
Drain ringing cycle skipping as the load is progressively reduced
Note:
That when the system operates in valley skipping-mode, uneven switching cycles may be 
observed under some line/load conditions, due to the fact that the OFF-time of the MOSFET 
is allowed to change with discrete steps of one ringing cycle, while the OFF-time needed for 
cycle-by-cycle energy balance may fall in between. Thus one or more longer switching 
cycles will be compensated by one or more shorter cycles and vice versa. However, this 
mechanism is absolutely normal and there is no appreciable effect on the performance of 
the converter or on its output voltage.
AM13565v1
P
in
= P
in''
< P
in'
P
in
= P
in'''
< P
in''
V
DS
T
FW 
T
ON 
V
DS
V
DS
T
OSC
T
OSC
T
OSC
P
in
= P
in'
(limit condition)
T
W
t
t
t