Diotec BC546BBK Bipolar Transistor Emitter reverse voltage U(CEO) 45 V BC546BBK Hoja De Datos

BC546xBK ... BC549xBK

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom

V

CE

  = 80 V, (B-E short)

V

CE

  = 50 V, (B-E short)

V

CE

  = 30 V, (B-E short)

BC546

BC547

BC548 / BC549

I

CES

I

CES

I

CES

–

–

–

0.2 nA

0.2 nA

0.2 nA

15 nA

15 nA

15 nA

V

CE

 = 80 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

V

CE

 = 50 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

V

CE

 = 30 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

BC546

BC547

BC548 / BC549

I

CES

I

CES

I

CES

–

–

–

–

–

–

4 µA

4 µA

4 µA

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-EmitterSättigungsspg. 

I

C

 = 10 mA, I

B

 = 0.5 mA

I

C

 = 100 mA, I

B

 = 5 mA

V

CEsat

V

CEsat

–

–

80 mV

200 mV

200 mV

600 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 

2

)

I

C

 = 10 mA, I

B

 = 0.5 mA

I

C

 = 100 mA, I

B

 = 5 mA

V

BEsat

V

BEsat

–

–

700 mV

900 mV

–

–

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 

2

)

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 2 mA

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 10 mA

V

BE

V

BE

580 mV

–

660 mV

–

700 mV

720 mV

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 10 mA, f = 100 MHz 

f

T

–

300 MHz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V

CB

 = 10 V, I

E

 =i

e

 = 0, f = 1 MHz

C

CBO

–

3.5 pF

6 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

V

EB

 = 0.5 V, I

C

 = i

c

 = 0, f = 1 MHz 

C

EB0

–

9 pF

–

Noise figure – Rauschzahl

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 200 µA, R

G

 = 2 kΩ

f = 1 kHz, Δf = 200 Hz 

BC546 / BC547

BC548 / BC549

F

F

–

–

2 dB

1.2 dB

10 dB

4 dB

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

< 200 K/W 

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC556 ... BC559

Available current gain groups per type

Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ

BC546A

BC547A

BC548A

BC546B

BC547B

BC548B

BC549B

BC547C

BC548C

BC549C

2

Tested with pulses t

p 

= 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen t

p

 = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG