STMicroelectronics 19V - 90W Adapter with PFC for Laptop computers using the L6563H and L6699 EVL6699-90WADP EVL6699-90WADP Fiche De Données

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Doc ID 022835 Rev 2

The L6699 is equipped with a comparator having the non-inverting input externally available 
on pin 8 (DIS) and with the inverting input internally referenced to 1.85 V. As the voltage on 
the pin exceeds the internal threshold, the IC is immediately shut down, the PFC_STOP pin 
is asserted low and the quiescent consumption reduced to a low value. The information is 
latched and it is necessary to let the voltage on the V

CC

 pin go below the UVLO threshold to 

reset the latch, de-assert the pin PFC_STOP, and restart the IC. 

This function is useful to implement a latched overtemperature protection very easily by 
biasing the pin with a divider from an external reference voltage (e.g. pin 4, 

RF

min

), where 

the upper resistor is an NTC physically located close to a heating element like the MOSFET, 
or a secondary diode or the transformer. 

An OVP can be implemented as well, e.g. by sensing the output voltage and transferring an 
overvoltage condition via an optocoupler. A latch-mode OCP protection can be implemented 
by connecting this pin to DELAY (pin 2).

The supply of the floating high-side section is obtained by means of a bootstrap circuitry. 
This solution normally requires a high voltage fast-recovery diode (D

BOOT

, 

) to 

charge the bootstrap capacitor C

BOOT

. In the L6699 a patented integrated structure, 

replaces this external diode. It is realized by means of a high voltage DMOS, working in the 
third quadrant and driven synchronously with the low-side driver (LVG), with a diode in 
series to the source, as shown in 

.

The diode prevents that any current can flow from the 

V

BOOT

 pin back to V

CC

 if the supply is 

quickly turned off when the internal capacitor of the pump is not fully discharged. To drive 
the synchronous DMOS, a voltage higher than the supply voltage V

CC

 

is necessary. This 

voltage is obtained by means of an internal charge pump (

).

The bootstrap structure introduces a voltage drop while recharging C

BOOT

 (i.e. when the low 

side driver is on), which increases with the operating frequency and with the size of the 
external Power MOSFET. It is the sum of the drop across the R

DS(on)

 and the forward drop 

across the series diode. At low frequency this drop is very small and can be neglected but, 
as the operating frequency increases, it must be taken into account. In fact, the drop 
reduces the amplitude of the driving signal and can significantly increase the R

DS(on)

 of the 

external high-side MOSFET and then its conductive loss.