Samsung 500GB 850 EVO MZ-75E500B/EU Fiche De Données

3D V-NAND:

Die Speichertechnologie der Zukunft bringt noch mehr 

Speicherplatz auf kleinster Fläche unter. Möglich machen dies inno- 
vative Strukturen mit 32 Schichten.

RAPID-Modus: 

Mit der aktuellen Magician-Software für Windows  

(Version 4.5) wird die  SSD 850 EVO noch mehr beschleunigt,  
denn bis zu 25 % des Hauptspeichers werden unter Windows nun  
als nicht-flüchtiger Cache für die SSD verwendet. Damit steigt die 
Performance über die Grenzen von Serial ATA hinaus. 

LPDDR2-Cache: 

Hochgeschwindigkeits-Puffer auf jeder SSD 850 EVO. 

Mindestens 1 MB Cache pro Gigabyte an Speicherplatz steht zur  
Verfügung, mindestens jedoch 256 MB. 

TCG Opal 2.0:

 Die Opal-Schnittstelle ermöglicht es, Wartungsfunktionen 

und Änderungen der Sicherheitseinstellungen der SSD 850 EVO zentral 
im Netzwerk durch die Systemadministration auszuführen. Damit wird 
die integrierte AES-Verschlüsselung mit 256 Bit unternehmensweis 
managebar.

TBW/Total Bytes Written:

 Samsung spezifiziert die Lebensdauer der  

SSD 850 EVO dabei so hoch, dass sie bei typischen 10 GB an Schreib-
daten pro Tag tatsächlich ein ganzes Arbeitsleben lang zuverlässig 
arbeiten kann.

Samsung Electronics GmbH ∙ Am Kronberger Hang 6 ∙ 65824 Schwalbach/Taunus ∙ Hotline: 0180 6 726 78 64 (0,20 €/Anruf aus dem dt. Festnetz,  
aus dem Mobilfunknetz max. 0,60 €/Anruf, aus dem Ausland abweichend) ∙ Stand November 2014 ∙ Irrtümer und Änderungen vorbehalten.

* Sequenzielle Leistungsdaten ermittelt mit CrystalDiskMark v3.0.1. Random-Performance ermittelt mit Iometer 2010.

**  Performance variiert in Abhängigkeit von SSD Firmware, System-Hardware und Konfiguration. 

Wert kann je nach Messmethode variieren

Allgemein

Kapazität

120 GB

250 GB

500 GB

1.000 GB

Gewicht

39 g

40 g

45 g

66 g

Maße (L x B x H)

100 x 69,85 x 6,8 mm

100 x 69,85 x 6,8 mm

100 x 69,85 x 6,8 mm mm

100 x 69,85 x 6,8 mm

Geschwindigkeit

Lese-/Schreibgeschw.

bis zu 540 MB/s*; 520 MB/s*

bis zu 540 MB/s*; 520 MB/s*

bis zu 540 MB/s*; 520 MB/s*

bis zu 550 MB/s*; 520 MB/s*

Ein-/Ausgabeoperationen

bis zu 94.000 IOPS Lesen*
bis zu 88.000 IOPS Schreiben*

bis zu 97.000 IOPS Lesen*
bis zu 88.000 IOPS Schreiben*

bis zu 98.000 IOPS Lesen*
bis zu 88.000 IOPS Schreiben*

bis zu 98.000 IOPS Lesen*
bis zu 90.000 IOPS Schreiben*

Lieferumfang

Software

Samsung Magician Software zur 
Verwaltung der SSD, Samsung 
Data Migration (als kostenfreier 
Download enthalten)

Samsung Magician Software zur 
Verwaltung der SSD, Samsung 
Data Migration (als kostenfreier 
Download enthalten)

Samsung Magician Software zur 
Verwaltung der SSD, Samsung 
Data Migration (als kostenfreier 
Download enthalten)

Samsung Magician Software zur 
Verwaltung der SSD, Samsung 
Data Migration (als kostenfreier 
Download enthalten)

Dokumente

Installationsanweisung, 
Gebrauchsanleitung

Installationsanweisung, 
Gebrauchsanleitung

Installationsanweisung, 
Gebrauchsanleitung

Installationsanweisung, 
Gebrauchsanleitung

Gewicht

39 g/40 g/45 g/66 g (120/250/500 GB und 1.000 GB)

Maße (L x B x H)

100 x 69,85 x 6,8 mm

Durchschnittliche Leistungs-

aufnahme im Betrieb

Lesen: max. 3,7 W** (1 TB)
Schreiben: max. 4.4 W** (1 TB)

Durchschnittliche Leistungs-

aufnahme im Leerlauf

Leerlauf: max. 0.05 W**
Ruhezustand (DevSlp): 0,002 W** (120 GB, 250 GB, 500 GB)  
bzw. 0,004 W** (1 TB)

Zulässige Spannung

5 V ± 5 %

Zuverlässigkeit (MTBF)

1,5 Mio. Stunden 

Betriebstemperatur

0 °C bis 70 °C

Stoßsicherheit

1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus)

Lebensdauer

75 TB Total Bytes Written bei 120 GB, 250 GB und 500 GB;  

150 TB Total Bytes Written bei 1.000 GB

Schnittstelle

SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel zu SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s)

Storage-Speicher  

Samsung 32-Layer 3D V-NAND

Controller

Samsung MEX Controller (1.000 GB) bzw.  
MGX Controller (120/250/500 GB)

Datenverschlüsselung

AES 256-bit Verschlüsselung (Class 0),  
TCG/Opal 2.0 nach IEEE 1667 (Encrypted Drive)

DRAM Cache-Speicher: 256 MB (120 GB), 512 MB (250, 500 GB)  

oder 1 GB (1.000 GB), Typ LPDDR2

DRAM Cache-Speicher 

Samsung 256 MB Low Power DDR3 SDRAM (120 GB);
Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM (250 GB/500 GB);
Samsung 1 GB Low Power DDR2 SDRAM (1.000 GB)

Performance*

Sequential Read**: Max. 540 MB/s
Sequential Write**: Max. 520 MB/s 

4 KB Random Read (QD1): max. 10.000 IOPS
4 KB Random Write (QD1): max. 40.000 IOPS
4 KB Random Read (QD32): max. 94.000 IOPS (120 GB)
4 KB Random Read (QD32): max. 97.000 IOPS (250 GB)
4 KB Random Read (QD32): max. 98.000 IOPS (500 GB/1.000 GB)
4 KB Random Write (QD32): max. 88.000 IOPS (120 GB/250 GB/500 GB) 
4 KB Random Write (QD32): max. 90.000 IOPS (1.000 GB)

Besonderheiten

 GC (Garbage Collection), TRIM, SMART, WWN, TurboWrite Technologie

Garantie

5 Jahre eingeschränkte Herstellergarantie  
(150 TB TBW bei 500 GB und 1 TB, 75 TB TBW bei 120/500 GB)