Elixir DDR2 UDIMM 1024MB M2Y1G64TU88D5B-AC Manuel D’Utilisation

Codes de produits
M2Y1G64TU88D5B-AC
Page de 18
M2Y1G64TU88D0B / M2Y2G64TU8HD0B / M2Y1G64TU88D4B / M2Y2G64TU8HD4B / M2Y1G64TU88D4B 
M2Y1G64TU88D5B / M2Y2G64TU8HD5B / M2Y1G64TU88D6B / M2Y2G64TU8HD6B 
M2Y1G64TU88D7B
 
1GB: 128M x 64 / 2GB: 256M x 64 
Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM                               
 
 
REV 1.2
 
13 
10/2008 
©  NANYA TECHNOLOGY CORP. 
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
 
 
Operating, Standby, and Refresh Currents   
T
CASE
 = 0 °C ~ 85 °C; V
DDQ
 = V
DD
 = 1.8V ± 0.1V (2GB, 2 Ranks, 128Mx8 DDR2 SDRAMs) 
 
Symbol 
Parameter/Condition 
PC2-5300 
PC2-6400 
Unit 
DD0
 
Operating Current: one bank; active/precharge; T
rc 
= T
rc (MIN);
 T
ck 
T
ck (MIN);
 DQ, DM, and DQS inputs changing twice per clock cycle; 
address and control inputs changing once per clock cycle 
1408 
1628 
Ma 
DD1
 
Operating Current: one bank; active/read/precharge; Burst = 2; T
rc 
= T
rc (MIN);
 CL=2.5; T
ck 
= T
ck (MIN);
 I
OUT 
= 0Ma; address and control 
inputs changing once per clock cycle 
1320 
1540 
Ma 
DD2P
 
Precharge Power-Down Standby Current: all banks idle; 
power-down mode; CKE 
 V
IL (MAX);
 T
ck 
= T
ck (MIN)
 
176 
176 
Ma 
DD2N
 
Idle Standby Current: CS 
 V
IH (MIN);
 all banks idle; CKE 
 V
IH 
(MIN)
; T
ck 
= T
ck (MIN);
 address and control inputs changing once per 
clock cycle 
1144 
1320 
Ma 
DD2Q
 
Precharge Quiet Standby Current: All banks idle; 
 is HIGH; CKE 
is HIGH; t
CK
 = t
CK
 
(MIN)
; Other control and address inputs are stable, 
Data bus inputs are floating. 
880 
968 
Ma 
I
 DD3PF
 
Active Power-Down Current: All banks open; T
ck
 = T
ck (MIN)
, CKE 
is LOW; Other control and address inputs are STABLE, Data bus 
inputs are floating. MRS A12 bit is set to low (Fast Power-down 
Exit). 
493 
528 
Ma 
I
 DD3PS
 
Active Power-Down Current: All banks open; T
ck
 = T
ck (MIN)
, CKE 
is LOW; Other control and address inputs are STABLE, Data bus 
inputs are floating. MRS A12 bit is set to high (Slow Power-down 
Exit). 
194 
194 
Ma 
DD3N
 
Active Standby Current: one bank; active/precharge; CS 
 V
IH 
(MIN);
 CKE 
 V
IH (MIN);
 T
rc 
= T
ras (MAX)
; T
ck 
= T
ck (MIN)
; DQ, DM, and 
DQS inputs changing twice per clock cycle; address and control 
inputs changing once per clock cycle 
1056 
1232 
Ma 
DD4W
 
Operating Current: one bank; Burst = 2; writes; continuous burst; 
address and control inputs changing once per clock cycle; DQ and 
DQS inputs changing twice per clock cycle; CL=2.5; T
ck 
= T
ck (MIN)
 
1452 
1672 
Ma 
DD4R
 
Operating Current: one bank; Burst = 2; reads; continuous burst; 
address and control inputs changing once per clock cycle; DQ and 
DQS outputs changing twice per clock cycle; CL = 2.5; T
ck 
= T
ck 
(MIN);
 I
OUT 
= 0Ma 
1584 
1804 
Ma 
DD5
 
Auto-Refresh Current: T
rc 
= T
rfc (MIN)
 
1936 
2156 
Ma 
DD6
 
Self-Refresh Current: CKE 
 0.2V 
194 
194 
Ma 
DD7
 
Operating Current: four bank; four bank interleaving with BL = 4, 
address and control inputs randomly changing; 50% of data 
changing at every transfer; T
rc
 
= T
rc
 
(min); I
OUT
 
= 0Ma. 
2156 
2420 
Ma 
Note: Module IDD was calculated from component IDD. It may differ from the actual measurement.