Fairchild BSS84 Manuale Utente

 

July 2002 

 



2002 Fairchild Semiconductor Corporation 

BSS84  Rev B(W) 

 

These     P-Channel   enhancement  mode  field effect 
transistors are produced using  Fairchild’s proprietary, 
high cell density,  DMOS technology. This very high 
density process has been designed to minimize on-
state resistance, provide rugged and reliable 
performance and fast switching. They can be used, with 
a minimum of effort, in most applications requiring up to 
0.13A DC and can deliver current up to 0.52A. 
This product is particularly suited to low voltage 
applications requiring a low current high side switch. 
 
 
 

 

• 

−

0.13A, 

−

50V. R

DS(ON) 

=  10

Ω 

@ V

GS

 = 

−

5 V 

 

• 

Voltage controlled p-channel small signal switch 

• 

High density cell design for low R

DS(ON)

 

• 

High saturation current

 

 

 

D

S

G

 

 

       T

A

=25

o

C unless otherwise noted

V

DSS

 

Drain-Source Voltage  

−

50 

V 

V

GSS

 Gate-Source 

Voltage 

±

20 

V 

I

D

 

Drain Current  – Continuous 

(Note 1)

 

−

0.13 

A 

   – 

Pulsed 

−

0.52 

 

Maximum Power Dissipation  

(Note 1)

 0.36 

  W 

P

D

 

Derate Above 25

°

C 

2.9 

mW/

°

C 

T

J

, T

STG

 

Operating and Storage Junction Temperature Range 

−

55 to +150 

°

C 

T

L

 

Maximum Lead Temperature for Soldering 
Purposes, 1/16” from Case for 10 Seconds 

300  

R

θ

JA

 

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  

(Note 1) 

350 

°

C/W 

SP BSS84 

7’’ 

8mm 

 

3000 

units