Texas Instruments THS7347EVM Evaluation Module THS7347EVM THS7347EVM Scheda Tecnica

Codici prodotto
THS7347EVM
Pagina di 31
SLOS531B
MAY 2007
REVISED OCTOBER 2011
DESCRIPTION, CONTINUED
As part of the THS7347 flexibility, the device input can be selected for ac- or dc-coupled inputs. The ac-coupled
modes include a sync-tip clamp option for CVBS/Y
'
/G
'
B
'
R
'
with sync or a fixed bias for the C
'
/P
'
B
/P
'
R
/R
'
G
'
B
'
channels without sync. The dc input options include a dc input or a dc+Offset shift to allow for a full sync
dynamic range at the output with 0-V input.
The THS7347 is available in a lead-free, RoHS-compliant TQFP package.
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.
PACKAGING/ORDERING INFORMATION
(1)
PACKAGED DEVICES
PACKAGE TYPE
TRANSPORT MEDIA, QUANTITY
THS7347IPHP
Tray, 250
HTQFP-48 PowerPAD
THS7347IPHPR
Tape and Reel, 1000
(1)
For the most current package and ordering information, see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).
THS7347
UNIT
V
SS
Supply voltage, GND to V
A
or GND to V
DD
5.5
V
V
I
Input voltage
0.4 to V
A
or V
DD
V
I
O
Continuous output current
±
80
mA
Continuous power dissipation
See
T
J
Maximum junction temperature, any condition
(2)
+150
°
C
T
J
Maximum junction temperature, continuous operation, long term reliability
(3)
+125
°
C
T
stg
Storage temperature range
65 to +150
°
C
Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds
300
°
C
HBM
1500
V
ESD ratings
CDM
1500
V
MM
100
V
(1)
Stresses above those listed under absolute maximum ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings
only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under recommended operating
conditions 
is not implied Exposure to absolute maximum rated conditions for extended periods may degrade device reliability.
(2)
The absolute maximum junction temperature under any condition is limited by the constraints of the silicon process.
(3)
The absolute maximum junction temperature for continuous operation is limited by the package constraints. Operation above this
temperature may result in reduced reliability and/or lifetime of the device.
DISSIPATION RATINGS
POWER RATING
(1) (2)
(T
J
= +125
°
C)
θ
JC
θ
JA
PACKAGE
(
°
C/W)
(
°
C/W)
T
A
= +25
°
C
T
A
= +85
°
C
HTQFP-48 with PowerPAD (PHP)
1.2
35
2.85 W
1.14 W
(1)
This data was taken with a PowerPAD standard 3-inch by 3-inch, 4-layer printed circuit board (PCB) with internal ground plane
connections to the PowerPAD.
(2)
Power rating is determined with a junction temperature of +125
°
C. This temperature is the point where distortion starts to substantially
increase and long-term reliability starts to be reduced. Thermal management of the final PCB should strive to keep the junction
temperature at or below +125
°
C for best performance and reliability.
2
Copyright
©
2007
2011, Texas Instruments Incorporated