HP (Hewlett-Packard) 642106-001 ユーザーズマニュアル

ページ / 134
 
Hardware options installation  50 
Memory subsystem architecture 
The memory subsystem in this server is divided into channels. Each processor supports four channels, and 
each channel supports three DIMM slots, as shown in the following table. 
 
Channel 
Population order 
Slot number 
12 
11 
10 


 
For the location of the slot numbers, see "DIMM slot locations (on page 
)." 
This multi-channel architecture provides enhanced performance in Advanced ECC mode. This architecture 
also enables Lockstep and Online Spare Memory modes. 
DIMM slots in this server are identified by number and by letter. Letters identify the population order. Slot 
numbers indicate the DIMM slot ID for spare replacement. 
 
Single-, dual-, and quad-rank DIMMs 
To understand and configure memory protection modes properly, an understanding of single-, dual-, and 
quad-rank DIMMs is helpful. Some DIMM configuration requirements are based on these classifications.   
A single-rank DIMM has one set of memory chips that is accessed while writing to or reading from the 
memory. A dual-rank DIMM is similar to having two single-rank DIMMs on the same module, with only one 
rank accessible at a time. A quad-rank DIMM is, effectively, two dual-rank DIMMs on the same module. Only 
one rank is accessible at a time. The server memory control subsystem selects the proper rank within the 
DIMM when writing to or reading from the DIMM. 
Dual- and quad-rank DIMMs provide the greatest capacity with the existing memory technology. For 
example, if current DRAM technology supports 8-GB single-rank DIMMs, a dual-rank DIMM would be 16 
GB, and a quad-rank DIMM would be 32 GB. 
LRDIMMs are labeled as quad-rank DIMMs; however, they function more like dual-rank DIMMs. There are 
four ranks of DRAM on the DIMM, but the LRDIMM buffer creates an abstraction that allows the DIMM to 
appear as a dual-rank DIMM to the system. The LRDIMM buffer also isolates the electrical loading of the 
DRAM from the system to allow for faster operation. These two changes allow the system to support up to 
three LRDIMMs per memory channel, providing for up to 50% greater memory capacity and higher memory 
operating speed compared to quad-rank RDIMMs.