Texas Instruments BQ2003 Evaluation Module for NiCd/NiMH, switchmode, up to 3A DV2003S1 DV2003S1 データシート

Number of Cells (JP4): A resistor-divider network is
provided to select 2 to 16 cells (the resulting resistor
value equals N – 1 cells). RB1 is a 200K

Ω resistor, and

RB2 (R16–R22) is jumper-selected.

Temperature Disable: Connecting a 10K

Ω resistor be-

tween THERM and BAT– disables temperature control.

1.

Configure DVEN, TM1, TM2, and number-of-cells
(NOC) jumpers.

2.

Connect the provided thermistor or a 10K

Ω resistor

between THERM and BAT-.

Note: RT1 and RT2 match the thermistor provided
and must be changed if a different thermistor type
is used (see Appendix A in the application note,
“Using the bq2003 to Control Fast Charge”).

3.

If using the discharge-before-charge option, connect
a current-limiting discharge load between BAT+
and DSCHG.

4.

If using the INHIBIT function, connect a switch
across JP5 (IN to +V) or connect IN to the control-
ling signal source (3–5V).

5.

Attach the battery pack to BAT+ and BAT-. For
temperature control, the thermistor must contact
the cwlls.

6.

Attach DC current source to DC+ (+) and GND (-)
connections in JP6.

I

DC+

Maximum input current

-

-

2.4

A

V

DC

Maximum input voltage

2.0 + V

BAT+

or 15

-

18 + V

BAT+

or 35

V

Note 1

V

BAT+

BAT+ input voltage

-

-

30

V

V

THERM

THERM input signal

0

-

5

V

I

DSCHG

Discharge load current

-

-

2

A

1.

The V

DC+

limits consider the 5.1V Zener diode at D9. The voltage at D9 is application-specific and

limits the V

GS

of Q1 to a safe enhancement value during Q1 conduction. See Table 1 for recommended

D9 selections per V

DC+

.

R22

14

R21

12

R20

10

R19

8

R18

6

R17

5

R16

4