Texas Instruments TPS65820 Evaluation Module TPS65820EVM TPS65820EVM データシート

SLVS663B – MAY 2006 – REVISED APRIL 2008

..............................................................................................................................................................

Over recommended operating conditions (typical values at T

J

= 25

°

C), V

O(SM1)

= 1.24 V, application circuit as in

(unless otherwise noted).

Not

10

I

Q(SM2)

= I(VIN_ SM2), no output load

switching

I

Q(SM2)

Quiescent current for SM2

µ

A

SM2 OFF, set via I

2

C

0.1

I

O(SM2)

Output current range

600

mA

Available output

voltages: V

O(SM2)TYP

=

Output voltage, selectable via I

2

C, standby OFF

1 V to 3.4 V, adjustable

in 80 mV steps

V

Available output

V

O(SM2)

= V

SBY(SM2)

, output voltage range, standby

voltages: V

SBY(SM2)

= 1

ON

V to 3.4 V, adjustable in

80 mV steps

V

O(SM2)

Output voltage

Total accuracy, V

O(SM2)TYP

= V

SM2(SBY)

= 1.8 V,

V(VIN_SM2) = greater of [3 V or (V

O(SM2)

+ 0.3 V)]

–3%

3%

to 4.7 V; 0 mA

≤ I

O(SM2)

≤ 600 mA

Line regulation, V(VIN_SM2) = greater of

%/V

[3 V or (V

O(SM2)

+ 0.3 V)]

0.027

to 4.7 V; 0 mA

≤ I

O(SM2)

≤ 600 mA

Load regulation, V(VIN_SM2) = 4.7 V,

0.139

%/A

I

O(SM2)

: 60 mA

→ 540 mA

P-channel MOSFET

R

DSON(PSM2)

V(VIN_SM2) = 3.6 V, 100% duty cycle set

310

500

m

Ω

on-resistance

I

LKG(PSM2)

P-channel leakage current

0.1

µ

A

N-channel MOSFET

R

DSON(NSM2)

V(VIN_SM2) = 3.6 V, 0% duty cycle set

220

330

m

Ω

on-resistance

I

LKG(PSM2)

N-channel leakage current

5

µ

A

I

LIM(SM2)

P- and N-channel current limit

3 V < V(VIN_SM2) < 4.7 V, TPS65820

900

1050

1200

mA

f

S(SM2)

Oscillator frequency

PWM mode set

1.3

1.5

1.7

MHz

V(VIN_SM2) = 4.2 V, I

O(SM2)

= 300 mA,

EFF

(SM2)

Efficiency

90%

V

O(SM2)

= 3 V

Converter OFF

→ON, V

O(SM2)

: 5%

→ 95% of target

t

SS(SM2)

Soft start ramp time

750

µ

s

value

t

DLY(SM2)

Converter turn-on delay

GPIO2 pin programmed as SM2 converter enable

170

µ

s

control. Measured from V(GPIO2): LO

→ HI

Over recommended operating conditions (typical values at T

J

= 25

°

C), application circuit as in

(unless otherwise

noted).

V

OL

Low level output voltage GPIO0

I

OL

= 20 mA

0.5

V

I

OGPIO

Low level sink current into GPIO1, 2, 3

V(GPIOn) = V(OUT)

20

mA

V

IL

Low level input voltage

0.4

V

I

LKG(GPIO)

Input leakage current

V(GPIOn) = V(OUT)

1

µ

A

14

Copyright © 2006–2008, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Link(s):