Fairchild Semiconductor N/A MJE172STU データシート

©2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A2, June 2001

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

Electrical Characteristics 

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

V

CBO

 Collector-Base Voltage                                     

 

: MJE170

: MJE171
: MJE172

 - 60
 - 80

- 100

V
V
V

V

CEO

 Collector-Emitter Voltage                                  : MJE170

: MJE171
: MJE172

 - 40
 - 60
 - 80

V
V
V

V

EBO

 Emitter-Base Voltage

  - 7

V

I

C

 Collector Current (DC)

  - 3

A

I

CP

 Collector Current (Pulse)

  - 6

A

I

B

 Base Current

  - 1

A

P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°

C)

12.5

W

 Collector Dissipation (T

a

=25

°

C)

 1.5

W

T

J

 Junction Temperature

150

°

C

T

STG

 Storage Temperature

- 65 ~ 150

°

C

BV

CEO

 Collector-Emitter Breaksown Voltage

: MJE170
: MJE171
: MJE172 

 
 I

C 

= 10mA, I

B 

= 0

 

-40
-60
-80

V
V
V

 I

CBO

 

 Collector Cut-off Current    : MJE170

: MJE171
: MJE172
: MJE170
: MJE171
: MJE172

 V

CB 

= - 60V, I

B 

= 0

 V

CB 

= - 80V, I

E 

= 0

 V

CB 

= - 100V, I

E 

= 0

 V

CB 

= - 60V, I

E 

= 0, @T

C 

= 150

°

C

 V

CB 

= - 80V, I

E 

= 0, @T

C 

= 150

°

C

 V

CB 

= - 100V, I

E 

= 0, @T

C 

= 150

°

C

-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1

µ

A

µ

A

µ

A

mA
mA
mA

 I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

BE 

= - 7V, I

C 

= 0

-0.1

µ

A

 h

FE

 DC Current Gain

 V

CE 

= - 1V, I

C 

= - 100mA

 V

CE 

= - 1V, I

C 

= - 500mA

 V

CE 

= - 1V, I

C 

= - 1.5A

50
30
12

250

 V

CE

(sat)

 Collector-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= - 500mA, I

B 

= - 50mA

 I

C 

= - 1.5A, I

B 

= - 150mA

 I

C 

= - 3A, I

B 

= - 600mA

-0.3
-0.9
-1.7

V
V
V

 V

BE

(sat)

 Base-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= - 1.5A, I

B 

= - 150mA

 I

C 

= - 3A, I

B 

= - 600mA

-1.5
-2.0

V
V

 V

BE

(on)

 Base-Emitter ON Voltage

 V

CE 

= - 1V, I

C 

= - 500mA

-1.2

V

 f

T

 Current Gain Bandwidth Product

 V

CE 

= - 10V, I

C 

= - 100mA

50

MHz

 C

ob

 Output Capacitance

 V

CB 

= - 10V, I

E 

= 0, f = 0.1MHz

 50

pF

1

TO-126

1. Emitter    2.Collector    3.Base