Ixys IXGH30N60C3 IGBT 600V IXGH30N60C3 データシート

製品コード
IXGH30N60C3
ページ / 6
© 2011 IXYS CORPORATION,  All Rights Reserved 
GenX3
TM
 600V 
IGBTs 
Symbol      Test Conditions 
Maximum Ratings 
V
CES
 
T
C
 = 25°C to 150°C                                                     600 
  V 
V
CGR
 
T
J
 = 25°C to 150°C, R
GE
 = 1M
Ω                                 600 
  V 
V
GES
 
Continuous 
                                                   ± 20 
  V 
V
GEM
 
Transient 
                                                   ± 30 
  V 
I
C25
 
T
C
 = 25°C                                                                     60 
  A 
I
C110
 
T
C
 = 110°C 
                                                      30 
  A 
I
CM
 
T
 = 25°C, 1ms 
                                                    150 
  A 
SSOA 
V
GE
 = 15V, T
VJ
 = 125°C, R
G
 = 5
Ω                       I
CM
 =   60 
  A 
(RBSOA) 
Clamped Inductive Load                                    @ 
≤ V
CES
 
P
C
 
T
C
 = 25°C 
220 
  W 
T
J
 
                                        -55 ... +150 
  °C 
T
JM
 
                                                    150 
  °C 
T
stg
 
                                        -55 ... +150 
  °C 
T
L
 
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s 
300 
  °C 
T
SOLD
 
Plastic Body for 10 seconds 
260 
  °C 
M
d
 
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)                   1.13/10                Nm/lb.in. 
Weight TO-220 
 
2.5 
 
TO-263  
3.0 
 
TO-263  
3.0 
 
DS100012B(05/11) 
IXGA30N60C3 
IXGP30N60C3 
IXGH30N60C3 
 Symbol   Test Conditions 
                           Characteristic Values 
(T
J
 = 25°C Unless Otherwise Specified)                                  Min.        Typ.       Max. 
BV
CES
 
    I
C
 = 250
μA, V
GE
 = 0V 
                                   600 
 
V
GE(th)
 
    I
C
 = 250
μA, V
CE
 = V
GE
 
                                   3.0                         5.5    V 
I
CES
 
    V
CE
 = V
CES
, V
GE
 = 0V 
           15 
 μA 
    T
J
 = 125°C 
                     300  
μA 
I
GES
 
    V
CE 
= 0V, V
GE
 = ± 20V 
       ±100   nA 
V
CE(sat)
 
    I
C
 = 20A, V
GE
 = 15V, Note 1 
         2.6          3.0     V 
    T
J
 = 125°C 
                1.8                    V 
V
CES
  =    600V 
I
C110
  =   30A 
V
CE(sat)
 
≤≤≤≤≤    3.0V 
t
fi(typ)
  =    47ns 
High-Speed PT IGBTs for 
40-100kHz  Switching 
G  = Gate 
D       =  Collector 
S  = Emitter 
Tab   =  Collector 
TO-247 (IXGH) 
C (Tab) 
TO-263 AA (IXGA) 
C (Tab) 
C  E 
TO-220AB (IXGP) 
C (Tab) 
Features 
 
Optimized for Low Switching Losses 
 
Square RBSOA 
 
International Standard Packages 
Advantages 
 
High Power Density 
 
Low Gate Drive Requirement 
Applications 
 
High Frequency Power Inverters 
 
UPS 
 
Motor Drives 
 
SMPS 
 
PFC Circuits 
 
Battery Chargers 
 
Welding Machines 
 
Lamp Ballasts