Elixir RAM DDR2 2GB, 800Mhz, 128Mx8, CL5 M2Y2G64TU8HD6B-AC ユーザーズマニュアル

製品コード
M2Y2G64TU8HD6B-AC
ページ / 19
M2N1G64TUH8D4F / M2N2G64TU8HD4B / M2N1G64TUH8D5F / M2N2G64TU8HD5B 
M2N1G64TUH8D6F / M2N2G64TU8HD6B 
1GB: 128M x 64 / 2GB: 256M x 64 
 
 
Unbuffered DDR2 SO-DIMM                                                                
 
REV 1.1
 
07/2008 
©  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
 
 
Input/Output Functional Description 
 
Symbol 
Type 
Polarity 
Function 
CK0, CK1 
(SSTL) 
Positive 
Edge 
The positive line of the differential pair of system clock inputs which drives the input to the 
on-DIMM PLL. All the DDR2 SDRAM address and control inputs are sampled on the rising edge 
of their associated clocks. 
,  
(SSTL) 
Negative 
Edge 
The negative line of the differential pair of system clock inputs which drives the input to the 
on-DIMM PLL. 
CKE0, CKE1 
(SSTL) 
Active 
High 
Activates the SDRAM CK signal when high and deactivates the CK signal when low. By 
deactivating the clocks, CKE low initiates the Power Down mode, or the Self Refresh mode. 
,  
(SSTL) 
Active 
 Low 
Enables the associated SDRAM command decoder when low and disables the command 
decoder when high. When the command decoder is disabled, new commands are ignored but 
previous operations continue. 

,
 

 
(SSTL) 
Active 
 Low 
When sampled at the positive rising edge of the clock, 

,
 

 define the operation to be 
executed by the SDRAM. 
V
REF
 
Supply 
 
Reference voltage for SSTL-18 inputs 
ODT0, ODT1 
Input 
Active 
 High 
On-Die Termination control signals 
BA0, BA1, BA2 
(SSTL) 
Selects which SDRAM bank is to be active. 
A0 
– A9 
A10/AP 
A11, A12/A13 
(SSTL) 
During a Bank Activate command cycle, A0-A12/A13 define the row address (RA0-RA12/RA13) 
when sampled at the rising clock edge. A13 applies on 2GB SODIMM only. 
During a Read or Write command cycle, A0-A9 defines the column address (CA0-CA9) when 
sampled at the rising clock edge. In addition to the column address, AP is used to invoke 
Autoprecharge operation at the end of the Burst Read or Write cycle. If AP is high, 
autoprecharge is selected and BA0/BA1/BA2 define the bank to be precharged. If AP is low, 
autoprecharge is disabled. 
During a Precharge command cycle, AP is used in conjunction with BA0/BA1/BA2 to control 
which bank(s) to precharge. If AP is high all 8 banks will be precharged regardless of the state of 
BA0/BA1/BA2. If AP is low, then BA0/BA1/BA2 are used to define which bank to pre-charge. 
DQ0 
– DQ63 
(SSTL) 
Active 
High 
Data and Check Bit Input/Output pins.  
V
DD
,
 V
SS
 
Supply 
 
Power and ground for the DDR2 SDRAM input buffers and core logic 
DQS0 
– DQS7 
 –  
(SSTL) 
Negative 
and 
Positive 
Edge 
Data strobe for input and output data 
DM0 
– DM7 
Input 
Active 
 High 
The data write masks, associated with one data byte. In Write mode, DM operates as a byte 
mask by allowing input data to be written if it is low but blocks the write operation if it is high. In 
Read mode, DM lines have no effect. DM8 is associated with check bits CB0-CB7, and is not 
used on x64 modules. 
SA0 
– SA1 
 
Address inputs. Connected to either V
DD
 or V
SS
 on the system board to configure the Serial 
Presence Detect EEPROM address. 
SDA 
 
This bi-directional pin is used to transfer data into or out of the SPD EEPROM. A resistor must be 
connected from the SDA bus line to V 
DD 
to act as a pull-up. 
SCL 
 
This signal is used to clock data into and out of the SPD EEPROM. A resistor may be connected 
from the SCL bus time to V 
DD 
to act as a pull-up. 
V
DDSPD
 
Supply 
 
Serial EEPROM positive power supply.