Elixir 1GB DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM M2Y1GH64TU8HD6B-AC ユーザーズマニュアル

製品コード
M2Y1GH64TU8HD6B-AC
ページ / 18
M2Y51H64TU88D0B / M2Y51H64TU88D6B / M2Y1GH64TU8HD0B / M2Y1GH64TU8HD6B 
512MB: 64M x 64 / 1GB: 128M x 64 
Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
 
                                                                   
Preliminary Edition
 
 
REV 0.1
 
08/2008 
©  NANYA TECHNOLOGY CORP. 
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
 
 
 
240pin Unbuffered DDR2 SDRAM MODULE 
Based on 64Mx8 DDR2 SDRAM D Die
                           
 
 
Features
 
• Performance: 
Speed Sort 
PC2-5300 
PC2-6400 
Unit 
-3C 
-AC 
DIMM 
 Latency
*
 
CK
  Clock Frequency 
333 
400 
MHz 
CK
  Clock Cycle 
2.5 
ns 
DQ
  DQ Burst Frequency 
667 
800 
MHz 
 
• JEDEC Standard 240-pin Dual In-Line Memory Module 
• 64Mx64 and 128Mx64 DDR2 Unbuffered DIMM based on 
64Mx8 DDR2 SDRAM
 D die
 
• Intended for 333MHz, and 400MHz applications
 
• Inputs and outputs are SSTL-18 compatible 
• V
DD
 = V
DDQ
 = 1.8V ± 0.1V     
• SDRAMs have 4 internal banks for concurrent operation 
• Differential clock inputs 
• Data is read or written on both clock edges 
• Bi-directional data strobe with one clock cycle preamble and 
one-half clock post-amble   
• Address and control signals are fully synchronous to positive 
clock edge 
 
 
• Programmable Operation: 
- Device 
 Latency: 3, 4, 5 
- Burst Type: Sequential or Interleave 
- Burst Length: 4, 8 
- Operation: Burst Read and Write   
• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh Modes 
• Automatic and controlled precharge commands 
• 14/10/1 Addressing (row/column/rank) – 512MB 
• 14/10/2 Addressing (row/column/rank) – 1GB 
• 7.8 µs Max. Average Periodic Refresh Interval 
• Serial Presence Detect 
• Gold contacts 
• SDRAMs in 60 ball BGA Package 
• RoHS compliance 
 
 
 
Description       
 
M2Y51H64TU88D0B, M2Y1GH64TU8HD0B, M2Y51H64TU88D6B and M2Y1GH64TU8HD6B are 240-Pin Double Data Rate 2 (DDR2) 
Synchronous DRAM Unbuffered Dual In-Line Memory Module (UDIMM), organized as one-rank 64Mx64 and two ranks 128Mx64 
high-speed memory array. M2Y51H64TU88D0B and M2Y51H64TU88D6B use eight 64Mx8 DDR2 SDRAMs. M2Y1GH64TU8HD0B and 
M2Y1GH64TU8HD6B use sixteen 64Mx8 DDR2 SDRAMs. These DIMMs are manufactured using raw cards developed for broad 
industry use as reference designs. The use of these common design files minimizes electrical variation between suppliers. All Elixir 
DDR2 SDRAM DIMMs provide a high-performance, flexible 8-
byte interface in a 5.25” long space-saving footprint. 
The DIMM is intended for use in applications operating up to 333MHz and 400MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer 
rates of up to 667MHz and 800MHz. Prior to any access operation, the device 
 latency and burst / length / operation type must be 
programmed into the DIMM by address inputs A0-A13 and I/O inputs BA0 and BA1 using the mode register set cycle. 
The DIMM uses serial presence-detect implemented via a serial 2,048-bit EEPROM using a standard IIC protocol. The first 128 bytes of 
serial PD data are programmed and locked during module assembly. The remaining 128 bytes are available for use by the customer.