Fujitsu 163-0731 사용자 설명서

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第 2 章 技術解説  

2.3 FRAM のプロセスフロー（CMOS プロセスとの組合せ）

FRAM のメモリセル断面図とプロセスフローの概略を図 2.4 に示します。

まず始めに , 通常の CMOS 

プロセスで , トランジスタを形成します。その後 , SiN, SiO

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を堆積させます。次に , FRAM 特有のプ    

ロセスで , 下部電極と上部電極で強誘電体を挟みキャパシタを形成し , トランジスタのプラグと強誘  
電体キャパシタを結線します。最後に通常の CMOS ロジックデバイスと同等の配線やカバー膜プロ
セスへと進みます。

以上のようなプロセスフローから FRAM プロセスの最大の特長は , CMOS ロジックプロセスとの  

相性が良く , CMOS プロセスを大きく変更せずに FRAM キャパシタを搭載できます。

図 2.4　FRAM のメモリセル断面図とプロセスフロー

CMOS

FRAM

CMOS

FRAM

FRAM

➀

➀

➁

➁