Panasonic PNZ154NC 사용자 설명서

Phototransistors 

Publication date: October 2008 

SHE00063AED 

1

Silicon planar type

For optical control systems



 Features



 Fast response



 Wide spectral sensitivity characteristics



 Adoption of visible light cutoff resin



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

20

V

Emitter-collector voltage (Base open)

V

ECO

5

V

Collector current

I

C

20

mA

Collector power dissipation

P

C

100

mW

Operating ambient temperature

T

opr

–25 to +85

°

C

Storage temperature

T

stg

–30 to +100

°

C



 Electrical Characteristics  T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Photocurrent 

*1

I

L

V

CE

 = 10 V, L = 500 lx

0.7

2.0

mA

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I

CEO

V

CE

 = 10 V

0.01

0.20

m

A

Collector-emitter saturation voltage 

*1

V

CE(sat)

I

L

 = 1 mA, L = 1 000 lx

0.2

0.5

V

Peak sensitivity wavelength

λ

PD

V

CE

 = 10 V

850

nm

Half-power angle

θ

The angle from which photocurrent 
becomes 50%

27

°

Rise time 

*2

t

r

V

CC

 = 10 V, I

L

 = 5 mA, R

L

 = 100 W

4

10

m

s

Fall time 

*2

t

f

4

10

m

s

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
 

2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.

 

3. This device is designed by disregarding radiation.

 

4  *1: Source: Tungsten (color temperature 2 856 K)

 

  *2: Switching time measurement circuit

(Input pulse)

(Output pulse)

50 Ω

R

L

t

r

: Rise time

t

f

:

 Fall time

V

CC

Sig. out

10%

90%

Sig. in

t

r

t

f