jetway 601cfr1c 사용자 설명서

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3-6-1   Advanced DRAM Control 
The “Advanced DRAM Control” includes settings for the chipset dependents features.  
These features are related to system performance.  Make sure you fully understand the 
items contained in this menu before you try to change anything.  You may change the 
parameter settings to improve system performance.  However, it may cause your 
system to be unstable if the setting is not correct for your system configuration.  
CMOS Setup Utility – Copyright(C) 1984-2001 Award Software 
Advanced DRAM Control 
 
Item Help 
    Auto Configuration                [Optimized] 
    Precharge Command                  3T 
    Active to CMD Command              6T 
    Write Recovery Time                2T 
    SDRAM Cycle Length                 By SPD  
    Bank Interleave                    By SPD 
    DRAM Drive Strength                Auto 
    Delay DRAM Read Latch              1.0 ns 
    Memory Data Drive                  Normal 
    Memory CMD Drive                   Strong 
    DDSKEW/REFCLK Delay                No Delay 
    In-Order Queue                     1-Level 
    P2C/C2P Concurrency                Disabled 
    Fast R-W Turn Around               Disabled 
    I/O Recovery Time                  Disabled 
    CPU to PCI Write Buffer            Enabled 
    PCI Dynamic Bursting               Disabled 
    PCI Master 0 WS Write              Disabled 
    PCI Delay Transaction              Disabled 
    PCI#2 Access #1 Retry             [Disabled] 
 
  Menu Level >> 
↑↓→←:Move  Enter:Select  +/-/PU/PD:Value  F10:Save  ESC:Exit  F1:General Help
F5:Previous Values      F6:Optimized Defaults     F7:Standard Defaults 
 
Precharge Command 
If an insufficient number of cycles is allowed for the RAS to accumulate its charge before 
DRAM refresh, the refresh may be incomplete and the DRAM may fail to retain date.  Fast 
gives faster performance; and Slow gives more stable performance.  This field applies only 
when synchronous DRAM is installed in the system.  The settings are: 2 and 3. 
 
Active Command 
This field let’s you insert a timing delay between the CAS and RAS strobe signals, used when 
DRAM is written to, read from, or refreshed.  Fast gives faster performance; and Slow gives 
more stable performance.  This field applies only when synchronous DRAM is installed in the 
system.  The settings are: 2 and 3. 
Active to CMD Command 
Select the number of SCLKs for an access cycle.  The settings are: 5/7 and 6/8. 
 
SDRAM Cycle Length