Elixir M2F2G64CB88B7N-CG 사용자 설명서

다운로드
페이지 27
M2F2G64CB88B7N / M2F4G64CB8HB5N 
M2F2G64CB88BHN / M2F4G64CB8HB9N 
2GB: 256M x 64 / 4GB: 512M x 64PC3-8500 / PC3-10600/PC-12800 
Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM 
 
REV 1.1
 
10/2010 
©  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
 
 
Based on DDR3-1066/1333/1600   256Mx8 (2GB/4GB) SDRAM B-Die
 
 
Features
 
•Performance: 
Speed Sort 
PC3-8500 
PC3-10600 
PC3-12800 
Unit 
-BE 
-CG 
-DI 
DIMM CAS Latency 
11 
fck 
– Clock Frequency 
533 
667 
800 
MHz 
tck 
– Clock Cycle 
1.875 
1.5 
1.25 
ns 
fDQ 
– DQ Burst Frequency 
1066 
1333 
1600 
Mbps 
• 240-Pin Dual In-Line Memory Module (UDIMM) 
• 256Mx64 (2GB) / 512Mx64 (4GB)  DDR3 Unbuffered DIMM 
based on 256Mx8 DDR3 SDRAM B-Die devices.  
• Intended for 533MHz/667MHz/800MHz applications
 
• Inputs and outputs are SSTL-15 compatible 
• V
DD
 = V
DDQ
 = 1.5V ±
0.075V 
• SDRAMs have 8 internal banks for concurrent operation 
• Differential clock inputs 
• Data is read or written on both clock edges 
• DRAM DLL aligns DQ and DQS transitions with clock transitions. 
• Address and control signals are fully synchronous to positive 
clock edge 
• Nominal and Dynamtic On-Die Termination support 
• Halogen free product 
 
 
 
• Programmable Operation: 
- DIMM 
 Latency: 6,7,8,9,10,11 
- Burst Type: Sequential or Interleave 
- Burst Length: BC4, BL8 
- Operation: Burst Read and Write  
• Two different termination values (Rtt_Nom & Rtt_WR) 
• 15/10/1 (row/column/rank) Addressing for 2GB 
• 15/10/2 (row/column/rank) Addressing for 4GB 
• Extended operating temperature rage 
• Auto Self-Refresh option 
• Serial Presence Detect 
• Gold contacts 
• 2GB/4GB SDRAMs are in 78-ball BGA Package 
• RoHS compliance and Halogen free 
 
 
Description    
 
M2F2G64CB88B7N / M2F4G64CB8HB5N / M2F2G64CB88BHN / M2F4G64CB8HB9N are 240-Pin Double Data Rate 3 (DDR3) 
Synchronous DRAM Unbuffered Dual In-Line Memory Module (UDIMM), organized as one rank of 256Mx64 (2GB) and two ranks of 
512Mx64 (4GB) high-speed memory array. Modules use eight 256Mx8 (2GB) 78-ball BGA packaged devices and sixteen 256Mx8 (4GB) 
78-ball BGA packaged devices. These DIMMs are manufactured using raw cards developed for broad industry use as reference designs. 
The use of these common design files minimizes electrical variation between suppliers. All Elixir DDR3 SDRAM DIMMs provide a 
high-performance, flexible 8-byte interface 
in a 5.25” long space-saving footprint. 
The DIMM is intended for use in applications operating of 533MHz/667MHz/800MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer 
rates of 1066Mbps/1333Mbps/1600Mbps. Prior to any access operation, the device 
 latency and burst/length/operation type must be 
programmed into the DIMM by address inputs A0-A14 (2GB/4GB) and I/O inputs BA0~BA2 using the mode register set cycle. 
The DIMM uses serial presence-detect implemented via a serial EEPROM using a standard IIC protocol. The first 128 bytes of SPD data 
are programmed and locked during module assembly. The remaining 128 bytes are available for use by the customer. 
 
 
 
 
 
 
 
Ordering Information