Sequans Communications VZM2OQ 사용자 설명서

다운로드
페이지 40
P
HYSICAL 
C
HARACTERISTICS 
I/O 
C
HARACTERISTICS
 
•  The Maximum values for I
ol 
and I
oh 
represent the maximal values for the 
pad type. They are provided for information only. 
Table 3-3:  DC Characteristics for Digital IOs, Voltage 1.8 V - BIDIR and IN Types 
VZM20Q 
D
ATASHEET 
12 
P
ROPRIETARY 
SEQUANS Communications 
Paramete
Drive Strength 
Min.  Nom.  Max. 
Unit 
V
IL 
Input Low Voltage 
 
 
0.54 
 
 
V
IH 
Input High Voltage 
1.26 
 
 
3.6 
 
 
V
Threshold Point 
0.79 
 
0.87 
 
0.94 
 
 
V
T+ 
Schmitt Trigger Low to High Threshold Point 
 
1.12 
 
1.22 
 
 
V
T- 
Schmitt Trigger High to Low Threshold Point 
0.61 
 
0.71 
 
0.8 
 
 
V
T PU 
Threshold Point with Pull-up Resistor Enabled 
0.79 
 
0.86 
 
0.93 
 
 
V
T PD 
Threshold Point with Pull-down Resistor Enabled 
0.8 
 
0.87 
 
0.95 
 
 
V
T+ PU 
Schmitt Trigger Low to High Threshold Point with Pull-up Resistor Enabled 
 
1.12 
 
1.21 
 
 
V
T- PU 
Schmitt Trigger High to Low Threshold Point with Pull-up Resistor Enabled 
0.61 
 
0.7 
 
0.8 
 
 
V
T+ PD 
Schmitt Trigger Low to High Threshold Point with Pull-down Resistor Enabled 
1.01 
 
1.13 
 
1.23 
 
 
V
T- PD 
Schmitt Trigger High to Low Threshold Point with Pull-down Resistor Enabled 
0.62 
 
0.72 
 
0.81 
 
 
I
Input Leakage Current @ VI=1.8V or 0V 
 
 
±10 
 
µA 
 
I
OZ 
Tri-state Output Leakage Current @ VO=1.8V or 0V 
 
 
±10 
 
µA 
 
Input Capacitance 
 
 
pF 
R
PU 
Pull-up Resistor 
56 
 
89 
 
148 
 
kOhm