Elixir 4GB PC3-10600 M2F4G64CB8HG5N-CG 사용자 설명서

제품 코드
M2F4G64CB8HG5N-CG
다운로드
페이지 23
M2F2G64CB88G7N / M2F4G64CB8HG5N 
2GB: 256M x 64 / 4GB: 512M x 64 
PC3-10600 / PC3-12800  
Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM 
REV 1.0
 
05/2011 
©  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
 
 
 
Based on DDR3-1333/1600 256Mx8 SDRAM G-Die
 
 
Features
 
•Performance: 
Speed Sort 
PC3-10600 
PC3-12800 
Unit 
-CG 
-DI 
DIMM CAS Latency 
11 
fck 
– Clock Freqency 
667 
800 
MHz 
tck 
– Clock Cycle 
1.5 
1.25 
ns 
fDQ 
– DQ Burst Freqency 
1333 
1600 
Mbps 
 
• 240-Pin Dual In-Line Memory Module (UDIMM) 
• 256Mx64 (2GB) / 512Mx64 (4GB) DDR3 Unbuffered DIMM based 
on 256Mx8 DDR3 SDRAM G-Die devices.  
• Intended for 667MHz/800MHz applications
 
• Inputs and outputs are SSTL-15 compatible 
• V
DD
 = V
DDQ
 = 1.5V ±
0.075V 
• SDRAMs have 8 internal banks for concurrent operation 
• Differential clock inputs 
• Data is read or written on both clock edges 
• DRAM DLL aligns DQ and DQS transitions with clock transitions. 
• Address and control signals are fully synchronous to positive 
clock edge 
• Nominal and Dynamic On-Die Termination support 
 
 
 
 
• Programmable Operation: 
- DIMM 
 Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 
- Burst Type: Sequential or Interleave 
- Burst Length: BC4, BL8 
- Operation: Burst Read and Write  
• Two different termination values (Rtt_Nom & Rtt_WR) 
• 15/10/1 (row/column/rank) Addressing for 2GB 
• 15/10/2 (row/column/rank) Addressing for 4GB 
• Extended operating temperature rage 
• Auto Self-Refresh option 
• Serial Presence Detect 
• Gold contacts 
• SDRAMs are in 78-ball BGA Package 
• RoHS compliance and Halogen free product 
 
Description    
 
M2F2G64CB88G7N / M2F4G64CB8HG5N are 240-Pin Double Data Rate 3 (DDR3) Synchronous DRAM Unbuffered Dual In-Line Memory 
Module (UDIMM), organized as one rank of 256Mx64 (2GB) and two ranks of 512Mx64 (4GB) high-speed memory array. Modules use eight 
256Mx8 (2GB) 78-ball BGA packaged devices and sixteen 256Mx8 (4GB) 78-ball BGA packaged devices. These DIMMs are manufactured 
using raw cards developed for broad industry use as reference designs. The use of these common design files minimizes electrical variation 
between suppliers. All Elixir DDR3 SDRAM DIMMs provide a high-performance, flexible 8-byte interface 
in a 5.25” long space-saving 
footprint. 
The DIMM is intended for use in applications operating of 667MHz/800MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer rates of 
1333Mbps/12800Mbps. Prior to any access operation, the device 
 latency and burst/length/operation type must be programmed into 
the DIMM by address inputs A0-A13 (2GB) / A0-A14 (4GB) and I/O inputs BA0~BA2 using the mode register set cycle. 
The DIMM uses serial presence-detect implemented via a serial EEPROM using a standard IIC protocol. The first 128 bytes of SPD data 
are programmed and locked during module assembly. The remaining 128 bytes are available for use by the customer.