Elixir 8GB DDR3 SO-DIMM M2S8G64CB8HB5N-CG 사용자 설명서

제품 코드
M2S8G64CB8HB5N-CG
다운로드
페이지 23
M2S4G64CB88B5N / M2S8G64CB8HB5N
  
4GB: 512M x 64 / 8GB: 1024M x 64 
PC3-10600 / PC3-12800
 
Unbuffered DDR3 SO-DIMM
     
  
 
REV 1.0
 
06/2012 
©  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
 
 
Based on DDR3-1333/1600 512Mx8 SDRAM B-Die
 
 
Features
 
•Performance: 
Speed Sort 
PC3-10600 
PC3-12800 
Unit 
-CG 
-DI 
DIMM CAS Latency 
11 
fck 
– Clock Freqency 
667 
800 
MHz 
tck 
– Clock Cycle 
1.5 
1.25 
ns 
fDQ 
– DQ Burst Freqency 
1333 
1600 
Mbps 
 
•204-Pin Small Outline Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM) 
• 4GB / 8GB: 512Mx64 / 1024Mx64 Unbuffered DDR3 SO-DIMM 
based on 512Mx8 DDR3 SDRAM B-Die devices.  
• Intended for 667MHz/800MHz applications 
• Inputs and outputs are SSTL-15 compatible 
• VDD = VDDQ = 1.5V  0.075V 
• SDRAMs have 8 internal banks for concurrent operation 
• Differential clock inputs 
• Data is read or written on both clock edges 
• DRAM DLL aligns DQ and DQS transitions with clock transitions. 
• Auto Self-Refresh option 
• Nominal and Dynamic On-Die Termination support 
• Extended operating temperature rage 
 
• Serial Presence Detect 
Programmable Operation: 
- DIMM 
 Latency: 5, 6, 7,8,9,10,11 
- Burst Type: Sequential or Interleave 
- Burst Length: BC4, BL8 
- Operation: Burst Read and Write  
• Address and control signals are fully synchronous to positive 
clock edge 
• Two different termination values (Rtt_Nom & Rtt_WR) 
• 16/10/1 (row/column/rank) Addressing for 4GB 
• 16/10/2 (row/column/rank) Addressing for 8GB 
• Gold contacts 
• SDRAMs are in 78-ball BGA Package 
• RoHS compliance and Halogen Free 
 
 
Description  
M2S4G64CB88B5N and M2S8G64CB8HB5N are unbuffered 204-Pin Double Data Rate 3 (DDR3) Synchronous DRAM Small Outline Dual 
In-Line Memory Module (SO-DIMM), organized as one rank of 512Mx64 (4GB) and two ranks of 1024Mx64 (8GB) high-speed memory 
array. Modules use eight 512Mx8 (4GB) and sixteen 512Mx8 (8GB) 78-ball BGA packaged devices. These DIMMs are manufactured using 
raw cards developed for broad industry use as reference designs. The use of these common design files minimizes electrical variation 
between suppliers. All Elixir DDR3 SODIMMs provide a high-performance, flexible 8-byte interface in a space-saving footprint. The DIMM is 
intended for use in applications operating of 667MHz/800MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer rates of 
10600Mbps/12800Mbps. Prior to any access operation, the device 
 latency and burst/length/operation type must be programmed into 
the DIMM by address inputs A0-A15 and I/O inputs BA0~BA2 using the mode register set cycle. The DIMM uses serial presence-detect 
implemented via a serial EEPROM using a standard IIC protocol. The first 128 bytes of SPD data are programmed and locked during 
module assembly. The remaining 128 bytes are available for use by the customer.