Fujifilm Xeon S26361-F3099-L828 데이터 시트

제품 코드
S26361-F3099-L828
다운로드
페이지 86
32
Datasheet
NOTES:
1. Unless otherwise noted, all specifications in this table apply to all processor frequencies.
2. All outputs are open drain.
3. V
HYS
 represents the amount of hysteresis, nominally centered about 0.5 * V
TT
 for all PWRGOOD and TAP 
inputs.
4. The V
TT
 represented in these specifications refers to instantaneous V
TT
.
5. The maximum output current is based on maximum current handling capability of the buffer and is not 
specified into the test load.
NOTES:
1. Unless otherwise noted, all specifications in this table apply to all processor frequencies.
2. The V
TT
 represented in these specifications refers to instantaneous V
TT
.
3. V
IL
 is defined as the voltage range at a receiving agent that will be interpreted as a logical low value.
4. V
IH
 is defined as the voltage range at a receiving agent that will be interpreted as a logical high value.
5. V
IH
 and V
OH
 may experience excursions above V
TT
6. Refer to Table 2-5 to determine which signals include additional on-die termination resistance (R
L
). 
7. Leakage to V
SS
 with pin held at V
TT
.
8. Leakage to V
TT
 with pin held at 300 mV.
Table 14. 
PWRGOOD Input and TAP Signal Group DC Specifications
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
Notes 
1,2
V
HYS
Input Hysteresis
200
350
mV
3
V
t+
Input Low to High 
Threshold Voltage
0.5 * (V
TT 
+ V
HYS_MIN
)
0.5 * (V
TT 
+ V
HYS_MAX
)
V
4
V
t-
Input High to Low 
Threshold Voltage
0.5 * (V
TT 
- V
HYS_MAX
)
0.5  *  (V
TT 
- V
HYS_MIN
)
V
4
V
OH
Output High Voltage
N/A
V
TT
V
4
I
OL
Output Low Current
45
mA
5
I
LI
Input Leakage Current
N/A
± 200
µA
I
LO
Output Leakage Current
N/A
± 200
µA
R
ON
Buffer On Resistance
7
11
W
Table 15. 
GTL+ Asynchronous and AGTL+ Asynchronous Signal Group DC Specifications
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
Notes
1
V
IL
Input Low Voltage
0.0
GTLREF - (0.10 * V
TT
)
V
2,3
V
IH
Input High Voltage
GTLREF + (0.10 * V
TT
)
V
TT
V
2,4,5
V
OH
Output High Voltage
0.90 * V
TT
V
TT
V
2,5
I
OL
Output Low Current
N/A
V
TT
 / 
(0.50 * R
TT_MIN
 + 
[R
ON_MIN
 || R
L
])
mA
2,6
I
LI
Input Leakage Current
N/A
± 200
µA
7,8
I
LO
Output Leakage Current
N/A
± 200
µA
7,8
R
on
Buffer On Resistance
7
11
W