Texas Instruments LM3423 Evaluation Board LM3423BBLSCSEV/NOPB LM3423BBLSCSEV/NOPB 데이터 시트

Bypass with 100 nF capacitor to AGND as close to

1

1

V

IN

Input Voltage

the device as possible in the circuit board layout.

Connect to AGND for zero current shutdown or

2

2

EN

Enable

apply > 2.4V to enable device.

Connect a capacitor to AGND to set the

3

3

COMP

Compensation

compensation.

Connect a resistor to AGND to set the signal current.
For analog dimming, connect a controlled current

4

4

CSH

Current Sense High

source or a potentiometer to AGND as detailed in
the Analog Dimming section.

External RC network sets the predictive “off-time”

5

5

RCT

Resistor Capacitor Timing

and thus the switching frequency.

Connect to PGND through the DAP copper pad to

6

6

AGND

Analog Ground

provide ground return for CSH, COMP, RCT, and
TIMR.

Connect to a resistor divider from V

O

to program

output over-voltage lockout (OVLO). Turn-off

7

7

OVP

Over-Voltage Protection

threshold is 1.24V and hysteresis for turn-on is
provided by 23 µA current source.

Connect a PWM signal for dimming as detailed in
the PWM Dimming section and/or a resistor divider

Dimming Input /

8

8

nDIM

from V

IN

to program input under-voltage lockout

Under-Voltage Protection

(UVLO). Turn-on threshold is 1.24V and hysteresis
for turn-off is provided by 23 µA current source.

Connect to pull-up resistor from VIN and N-channel

9

-

FLT

Fault Flag

MosFET open drain output is high when a fault
condition is latched by the timer.

Connect a capacitor to AGND to set the time delay

10

-

TIMR

Fault Timer

before a sensed fault condition is latched.

Connect to pull-up resistor from VIN and N-channel

11

-

LRDY

LED Ready Flag

MosFET open drain output pulls down when the
LED current is not in regulation.

Connect to AGND if dimming with a series P-

12

-

DPOL

Dim Polarity

channel MosFET or leave open when dimming with
series N-channel MosFET.

13

9

DDRV

Dim Gate Drive Output

Connect to the gate of the dimming MosFET.

Connect to AGND through the DAP copper pad to

14

10

PGND

Power Ground

provide ground return for GATE and DDRV.

15

11

GATE

Main Gate Drive Output

Connect to the gate of the main switching MosFET.

Bypass with 2.2 µF–3.3 µF ceramic capacitor to

16

12

V

CC

Internal Regulator Output

PGND.

Connect to the drain of the main N-channel MosFET

17

13

IS

Main Switch Current Sense

switch for R

DS-ON

sensing or to a sense resistor

installed in the source of the same device.

Connect the low side of all external resistor dividers

18

14

RPD

Resistor Pull Down

(V

IN

UVLO, OVP) to implement “zero-current”

shutdown.

Connect through a series resistor to the positive side

19

15

HSP

LED Current Sense Positive

of the LED current sense resistor.

Connect through a series resistor to the negative

20

16

HSN

LED Current Sense Negative

side of the LED current sense resistor.

DAP (21)

DAP (17)

DAP

Thermal PAD on bottom of IC

Star ground, connecting AGND and PGND.

3

SNVA415C – June 2010 – Revised May 2013

Copyright © 2010–2013, Texas Instruments Incorporated