Texas Instruments SHA-1/HMAC BASED SECURITY AND AUTHENTICATION IC BQ26100EVM BQ26100EVM 데이터 시트

제품 코드
BQ26100EVM
다운로드
페이지 25
www.ti.com
Non-Volatile EEPROM Memory
A = A + 1
ROM
Function
Flow
Master TX:
16-bit address, A
Master RX:
CRC of M/F cmd & A
Master RX:
D
Master RX:
8-bit data @ A
A = 0x00F?
YES
Read
EEPROM
Flow
M/F = 0xE0
NO
A = 0x000F?
NO
ROM
Function
Flow
Master RX:
CRC of M/F cmd, A & D
Master RX:
CRC of preloaded
A[7:0] & shifted D
YES
Write
EEPROM
Flow
M/F = 0x0E
Master TX:
16-bit address, A
A = A +1
Master RX:
CRC of all data transmitted
Master waits 50 ms
Master TX:
8-bit data, D
Master TX:
8-bit data, D
CRC = A[7:0]
Master waits 100 ms
(1)
(1)
SLUS696A – JUNE 2006 – REVISED FEBRUARY 2007
The EEPROM memory is intended for in-field programming. Programming the EEPROM is no different than
writing to RAM or registers, but the timing between the write and read back is different. A bit can be written to 1
or cleared to multiple times and the value is retained when power to the device is removed.
General Use – Memory Function Commands 0xE0 (Read) and 0x0E (Write)
Table 4. General Memory Space Addressing
ADDRESSES
FUNCTION
0x000F – 0x0000
16 Bytes general use
(1)
16-Bit address is sent with lower 8-bit address followed by higher 8-bit address with least significant bit first.
Figure 9. EEPROM Write/Read Flows
13