Texas Instruments LM3404 Evaluation Boards LM3404FSTDIMEV/NOPB LM3404FSTDIMEV/NOPB 사용자 설명서

VIN

GND

80V

V

IN

Module 

Connector

Module 

Connector

TVS

C

IN

Board Trace 

Inductance

SNVS465F – OCTOBER 2006 – REVISED MAY 2013

The VIN pin also has an ESD structure from the pin to GND with a breakdown voltage of approximately 80V. Any
transient that exceeds this voltage may damage the device. Although transient absorption is usually present at
the front end of a switching converter circuit, damage to the VIN pin can still occur.

When V

IN

is hot swapped in, the current that rushes in to charge C

IN

up to the V

IN

value also charges (energizes)

the circuit board trace inductance as shown in

. The excited trace inductance then resonates with the

input capacitance (similar to an under-damped LC tank circuit) and causes voltages at the VIN pin to rise well in
excess of both V

IN

and the voltage at the module input connector as clamped by the input TVS. If the resonating

voltage at the VIN pin exceeds the 80V breakdown voltage of the ESD structure, the ESD structure will activate
and then “snap-back” to a lower voltage due to its inherent design. If this lower snap-back voltage is less than
the applied nominal V

IN

voltage, then significant current will flow through the ESD structure resulting in the IC

being damaged.

An additional TVS or small zener diode should be placed as close as possible to the VIN pins of each IC on the
board, in parallel with the input capacitor as shown in

. A minor amount of series resistance in the input

line would also help, but would lower overall conversion efficiency. For this reason, NTC resistors are often used
as inrush limiters instead.

22

Copyright © 2006–2013, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Links: