Texas Instruments TPS75105DSK-529 Evaluation Board TPS75105DSKEVM-529 TPS75105DSKEVM-529 TPS75105DSKEVM-529 데이터 시트

SBVS080I – SEPTEMBER 2006 – REVISED NOVEMBER 2013

This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.

ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.

TPS7510x yyyz

X is the nominal default diode output current (for example, 3 = 3mA, 5 = 5mA, and 0 = 10mA).
YYY is the package designator.
Z is the reel quantity (R = 3000, T = 250).

(1)

For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at

(2)

Default set currents from 3mA to 10mA in 1mA increments are available through the use of innovative factory EEPROM programming.
Minimum order quantities may apply. Contact factory for details and availability.

Over operating temperature range (unless otherwise noted).

V

IN

range

–0.3V to +7.0V

V

ISET

, V

ENA

, V

ENB

, V

DX

range

–0.3V to V

IN

I

DX

for D1A, D2A, D1B, D2B

35mA

D1A, D2A, D1B, D2B short circuit duration

Indefinite

Continuous total power dissipation

Internally limited

Junction temperature (T

J

)

–55°C to +150°C

Storage temperature

–55°C to +150°C

(1)

Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may
degrade device reliability. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond
those specified is not implied.

Low-K

(1)

YFF

55°C/W

208°C/W

4.8mW/°C

480mW

264mW

192mW

YFF

55°C/W

142°C/W

7.0mW/°C

704mW

387mW

282mW

High-K

(2)

DSK

40°C/W

60.6°C/W

17mW/°C

1650mW

908mW

660mW

(1)

The JEDEC low-K (1s) board used to derive this data was a 3 inch × 3 inch, two-layer board with 2 ounce copper traces on top of the
board.

(2)

The JEDEC high-K (2s2p) board used to derive this data was a 3 inch × 3 inch, multi-layer board with 1 ounce internal power and
ground planes and 2 ounce copper traces on top and bottom of the board.

V

IN

Input voltage

2.7

5.5

V

I

DX

Operating current per LED

3

25

mA

t

PWM

On-time for PWM signal

33

μs

T

J

Operating junction temperature range

–40

+85

°C

2

Copyright © 2006–2013, Texas Instruments Incorporated