Texas Instruments Evaluation Module for BQ24130 600-kHz Synchronous Switch-Mode Li-Ion and Li-Polymer BQ24130EVM BQ24130EVM 데이터 시트

1. It is critical that the exposed thermal pad on the backside of the BQ24130 package be soldered to the

PCB ground. Make sure there are sufficient thermal vias right underneath the IC, connecting to the
ground plane on the other layers.

2. The control stage and the power stage should be routed separately. At each layer, the signal ground

and the power ground are connected only at the thermal pad.

3. Charge current sense resistor must be connected to SRP, SRN with a Kelvin contact. The area of this

loop must be minimized. The decoupling capacitors for these pins should be placed as close to the IC
as possible.

4. Decoupling capacitors for VREF, AVCC, REGN should make the interconnections to the IC as short as

possible.

5. Decoupling capacitors for BAT must be placed close to the corresponding IC pins and make the

interconnections to the IC as short as possible.

6. Decoupling capacitor(s) for the charger input must be placed very close to SW and PGND.

7. Take the EVM layout for design reference.

1

C1

2.2

µ

F

Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, 10%

805

STD

STD

3

C11,C12,

0.1

µ

F

Capacitor, Ceramic, 50V, X7R, 10%

603

STD

STD

C17

0

C13

NONE

Capacitor, Ceramic, 50V, X7R, 10%

603

STD

STD

2

C14, C16

1.0

µ

F

Capacitor, Ceramic, 16V, X7R, 10%

805

STD

STD

0

C15

NONE

Capacitor, Ceramic, 16V, X7R, 10%

805

STD

STD

2

C2, C3

4.7

µ

F

Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, 10%

805

STD

STD

2

C4, C10

1.0

µ

F

Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, 10%

805

STD

STD

0

C5

NONE

Capacitor, Ceramic, Low Inductance, 50V, X7R,

603

STD

STD

10%

1

C6

47 nF

Capacitor, Ceramic, 50V, X7R, 10%

603

STD

STD

2

C7, C8

10

µ

F

Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, 10%

1206

STD

STD

1

C9

1

µ

F

Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, 10%

805

STD

STD

1

D1

PDS1040

Diode, Schottky Barrier, 10A, 40V

Power DI 5

PDS1040-13

Diodes

1

D2

BAT54XV2T1G

Diode, Schottky, 10 mA, 30 V

SOD523

BAT54XV2T1G

On Semi

0

D3

B220A

Diode, Schottky, 20V, 2A

SMA

B220A-13-F

Diodes

1

D4

Green

Diode, LED, Green, 2.1V, 20mA, 6mcd

603

LTST-C190GKT

Lite On

0

D5

BAT54XV2T1G

Diode, Schottky, 10 mA, 30 V

SOD523

BAT54XV2T1G

On Semi

1

J1, J2

ED120/2DS

Terminal Block, 2-pin, 15-A, 5.1mm

0.40 x 0.35 inch

ED120/2DS

OST

1

J3

ED555/3DS

Terminal Block, 3-pin, 6-A, 3.5mm

0.41 x 0.25 inch

ED555/3DS

OST

3

JP2, JP4,

PEC02SAAN

Header, 2 pin, 100mil spacing

0.100 inch x 2

PEC02SAAN

Sullins

JP5

2

JP1, JP3

PEC03SAAN

Header, 3 pin, 100mil spacing

0.100 inch x 3

PEC03SAAN

Sullins

1

L1

6.8uH

Inductor, SMT, 8A, 21milliohm

0.400 x 0.453 inch

HLP4040DZER6R8M01

Vishay

1

Q1

2N7002-7-F

MOSFET, N-ch, 60V, 115mA, 1.2Ohms

SOT23

2N7002-7-F

Diodes Inc

2

R10, R14

0

Resistor, Chip, 1/16W, 1%

603

STD

STD

1

R11

100

Resistor, Chip, 1/16W, 1%

603

STD

STD

1

R12

30.1k

Resistor, Chip, 1/16W, 1%

603

STD

STD

2

R13, R5

10k

Resistor, Chip, 1/16W, 1%

603

STD

STD

1

R15

232k

Resistor, Chip, 1/16W, 1%

603

STD

STD

1

R16

154k

Resistor, Chip, 1/16W, 1%

603

STD

STD

7

SLVU495B

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July 2011

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2012, Texas Instruments Incorporated