Texas Instruments Evaluation Module for TPS24711 Positive Voltage, Power-Limiting Hotswap Controller TPS24711EVM-004 TPS24711EVM-004 데이터 시트

제품 코드
TPS24711EVM-004
다운로드
페이지 34
C002
I_IN: Input Current, 2 A/div
GAT: Voltage on GATE Pin, 5 V/div
V_DS: Drain-to-Source Voltage of M1, 5 V/div
TIMER: Voltage on TIMER Pin, 500 mV/div
FET_PWR: Power on M1 (product of V_DS and I_IN), 19 W/div
Time: 10 ms/div
SLVSAL2E – JANUARY 2011 – REVISED NOVEMBER 2013
dissipated within the MOSFET, labeled FET PWR, remaining substantially constant during this period of
operation, which ends when the current through the MOSFET reaches the current limit I
LIM
. This behavior can be
considered a form of foldback limiting, but unlike the standard linear form of foldback limiting, it allows the power
device to operate near its maximum capability, thus reducing the start-up time and minimizing the size of the
required MOSFET.
Figure 27. Computation of M
1
Power Stress During Start-Up
CIRCUIT BREAKER AND FAST TRIP
The TPS24710/11/12/13 monitors load current by sensing the voltage across R
SENSE
. The TPS24710/11/12/13
incorporates two distinct thresholds: a current-limit threshold and a fast-trip threshold.
The functions of circuit breaker and fast-trip turn off are shown in
through
.
shows the behavior of the TPS24710/11 when a fault in the output load causes the current passing
through R
SENSE
to increase to a value above the current limit but less than the fast-trip threshold. When the
current exceeds the current-limit threshold, a current of approximately 10
μA begins to charge timing capacitor
C
T
. If the voltage on C
T
reaches 1.35 V, then the external MOSFET is turned off. The TPS24710 latches off and
the TPS24711 commences a restart cycle. In either event, fault pin FLTb pulls low to signal a fault condition.
Overload between the current limit and the fast trip threshold is permitted for this period. This shutdown scheme
is sometimes called an electronic circuit breaker.
The fast-trip threshold protects the system against a severe overload or a dead short circuit. When the voltage
across the sense resistor R
SENSE
exceeds the 60 mV fast-trip threshold, the GATE pin immediately pulls the
external MOSFET gate to ground with approximately 1 A of current. This extremely rapid shutdown may
generate disruptive transients in the system, in which case a low-value resistor inserted between the GATE pin
and the MOSFET gate can be used to moderate the turn off current. The fast-trip circuit holds the MOSFET off
for only a few microseconds, after which the TPS24710/11/12/13 turns back on slowly, allowing the current-limit
feedback loop to take over the gate control of M
1
. Then the hot-swap circuit goes into either latch mode
(TPS24710/12) or auto-retry mode (TPS24711/13).
and
illustrate the behavior of the system
implementing TPS24710/11 when the current exceeds the fast-trip threshold.
16
Copyright © 2011–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: