Texas Instruments OPA653EVM Evaluation Module OPA653EVM OPA653EVM 데이터 시트

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S+

V

OUT

NC

NC

V

IN-

V

IN+

V

S

-

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3

5

4

V

S+

V

OUT

-

V

S

V

IN+

V

IN

-

SBOS348A – DECEMBER 2008 – REVISED NOVEMBER 2009

This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.

ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.

OPA653IDBVT

Tape and Reel, 250

OPA653

SOT23-5

DBV

–40°C to +85°C

BZW

OPA653IDBVR

Tape and Reel, 3000

OPA653IDRBT

Tape and Reel, 250

OPA653

VSON-8

DRB

–40°C to +85°C

OBEI

OPA653IDRBR

Tape and Reel, 3000

(1)

For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at

Over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).

Power Supply Voltage V

S+

to V

S–

±6.5

V

Input Voltage

±V

S

V

Input Current

100

mA

Output Current

100

mA

Continuous Power Dissipation

See Thermal Characteristics

Operating Free Air Temperature Range, T

A

–40 to +85

°C

Storage Temperature Range

–65 to +150

°C

Maximum Junction Temperature, T

J

+150

°C

Maximum Junction Temperature, T

J

(continuous operation for long term reliability)

+125

°C

Human Body Model (HBM)

4000

V

ESD

Charge Device Model (CDM)

1000

V

Rating:

Machine Model

200

V

Note:

NC: No connection.

2

Copyright © 2008–2009, Texas Instruments Incorporated

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