Texas Instruments bq20z655EVM and bq34z651EVM SBS 1.1 Impedance Track Technology Enabled EVM BQ34Z651EVM BQ34Z651EVM 데이터 시트

제품 코드
BQ34Z651EVM
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페이지 20
bq20z655 and bq34z651 Circuit Module
Pin Name
Description
LED4
Output/open drain: LED 4 current sink. LCD segment 4
LED5
Output/open drain: LED 5 current sink. LCD segment 5
PACK
Pack negative terminal
PACK+
Pack positive terminal
SMBC
Serial communication port clock
SMBD
Serial communication data port
SYS PRES
System present pin (if low, system is present)
VSS
Pack negative terminal
3
bq20z655 and bq34z651 Circuit Module
This section contains information for modifying and choosing a precharge mode for bq20z655/bq29412
and bq34z651/bq29412 implementation.
3.1
Schematic
The schematic follows the bill of materials in this user's guide (
3.2
Modifications for Choosing Particular Precharge Mode
To charge, the charge FET (CHG-FET) must be turned on to create a current path. When the V
(BAT)
is 0 V
and CHG-FET = ON, the V
(PACK)
is as low as the battery voltage. In this case, the supply voltage for the
device is too low to operate. This function has three possible configurations, and the IC can be easily
configured according to the application needs. The three modes are 0-V Charge FET mode, Common
FET mode, and Precharge FET mode.
1. 0-V Charge FET mode
Dedicates a precharge current path using an additional FET (ZVCHG-FET) to
sustain the PACK+ voltage level.
2. Common FET mode
Does not use a dedicated precharge FET. The charge FET (CHG-FET) is set to
ON state as default.
3. Precharge FET mode
Dedicates a precharge current path using an additional open-drain (OD) pin
drive FET (PCHG-FET) to sustain the PACK+ voltage level.
To use a particular mode of charging with the EVM, add or remove some elements shown in
, and
use the given settings of DF.Configuration, ZVCHG1, 0.
Table 2. Components and Flash-Memory Settings for Different Precharge Modes
Mode
Resistors
PRECHG FET
ZVCHG1
ZVCHG0
1. 0-V Chg (default)
R21, R28
Q3
0
0
2. Common FET
R24
Q2
0
1
3. Precharge
R23, R28
Q3
1
0
For more details about pre-charge operation and mode choices, see the bq20z655 datasheet (
and the bq34z651 datasheet (
).
3.3
Testing Fuse-Blowing Circuit
To prevent the loss of board functionality during the fuse-blowing test, the actual chemical fuse is not
provided in the circuit. FET Q1 drives TP2 low if a fuse-blow condition occurs; so, monitoring TP2 can be
used to test this condition. Fuse placement on the application board is shown in the bq20z655 and
bq34z651 datasheet reference-board schematics.
4
Circuit Module Physical Layouts and Bill of Materials
This section contains the printed-circuit board (PCB) layout, bill of materials, and assembly drawings for
the bq20z655/bq29412 and bq34z651/bq29412 circuit module.
3
SLUU697
November 2011
bq20z655EVM and bq34z651EVM SBS 1.1 Impedance Track
Technology-Enabled Evaluation Module
Copyright
©
2011, Texas Instruments Incorporated